[發明專利]在氧化鋁大孔基底上通過氫氧化物納米線輔助合成金屬鋁有機框架物納米棒陣列的方法

無效

• 申請號: 201310509471.0
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN103570755A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 彭新生;毛祎胤
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C07F5/06
• 分類號: C07F5/06;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種在氧化鋁大孔基底上通過氫氧化物納米線輔助合成金屬鋁有機框架物納米棒陣列的方法，其特征是它的步驟如下：

1)在磁力攪拌下，將1.4?mM?乙醇胺水溶液加入同體積4?mM?硝酸銅水溶液中，1分鐘后，調慢攪拌速度，并將反應容器密封，12～36小時之后，獲得氫氧化銅納米線溶液，將納米線溶液15～60?ml直接過濾在多孔氧化鋁膜上形成一層400?～2000?nm?厚的納米線層，多孔氧化鋁膜的直徑為2.5?cm,?孔徑?200?nm,?孔隙率25～50%；

2）將納米線層加入到含有30ml，濃度為1mM，pH=4的均苯三酸水溶液中，120℃熱處理24小時，得到金屬鋁有機框架物納米棒陣列。

2.一種在氧化鋁大孔基底上通過氫氧化物納米線輔助合成金屬鋁有機框架物納米棒陣列的方法，其特征是它的步驟如下：

1)在磁力攪拌下，將1.4?mM?乙醇胺水溶液加入同體積4?mM?硝酸鋅水溶液中，1分鐘后，調慢攪拌速度，并將反應容器密封，12～36小時之后，獲得氫氧化鋅納米線溶液，將納米線溶液15～60?ml直接過濾在多孔氧化鋁膜上形成一層400?～2000?nm?厚的納米線層，多孔氧化鋁膜的直徑為2.5?cm,?孔徑?200?nm,?孔隙率25～50%；

2）將納米線層加入到含有30ml，濃度為1mM，pH=4的均苯三酸水溶液中，120℃熱處理24小時后，得到金屬鋁有機框架物納米棒陣列。

3.一種在氧化鋁大孔基底上通過氫氧化物納米線輔助合成金屬鋁有機框架物納米棒陣列的方法，其特征是它的步驟如下：

1)在磁力攪拌下，將1.4?mM?乙醇胺水溶液加入同體積4?mM?硝酸鎘水溶液中，1分鐘后，調慢攪拌速度，并將反應容器密封，12～36小時之后，獲得氫氧化鎘納米線溶液，將納米線溶液15～60?ml直接過濾在多孔氧化鋁膜上形成一層400?～2000?nm?厚的納米線層，多孔氧化鋁膜的直徑為2.5?cm,?孔徑?200?nm,?孔隙率25～50%；

2）將納米線層加入到含有30ml，濃度為1mM，pH=4的均苯三酸水溶液中，120℃熱處理24小時后，得到金屬鋁有機框架物納米棒陣列。