[發明專利]帶焊球面陣列四面扁平無引腳封裝件生產方法

有效

• 申請號: 201310508832.X
• 申請日: 2013-10-24
• 公開（公告）號: CN103579012A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 朱文輝;徐冬梅;慕蔚;邵榮昌
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 李琪

技術領域

本發明屬于電子信息自動化元器件技術領域，涉及一種AAQFN封裝件生產方法，具體涉及一種帶焊球面陣列四面扁平無引腳（AAQFN）封裝件生產方法。

背景技術

長期以來，受蝕刻模板及蝕刻工藝技術的限制，常規QFN產品一直延續著20世紀90年代開發的單圈（1圈）引線框架模式。由于限制在單圈封裝，故產品引腳少，及I/Ｏ少，滿足不了高密度、多I/Ｏ封裝的需求。近兩年國內已開始研發多圈QFN，但由于框架制造工藝難度較大，只有個別國外供應商能設計、生產，而且受相關公司專利的限制，相對引腳較少，研發周期長。因此，雖然相比采用基板生產焊球作為輸出的BGA封裝，引線框架多圈QFN封裝效率高，而且成本相對低，運用靈活封裝，但多圈QFN限于引線框架制造商，不能滿足短、平、快以及不同芯片的靈活應用的要求。

發明內容

本發明的目的是提供一種帶焊球面陣列四面扁平無引腳封裝件生產方法，擺脫引線框架制造商的限制，生產滿足短、平、快以及不同芯片靈活應用要求的封裝件。

為實現上述目的，本發明所采用的技術方案是：一種帶焊球面陣列四面扁平無引腳封裝件生產方法，具體按以下步驟進行：

步驟1：減薄帶凸點的晶圓，劃片，形成IC芯片；

在裸銅框架的表面均勻涂覆光刻膠，形成光刻膠層，然后在60℃～70℃的溫度下烘烤25±5分鐘；

步驟2：對光刻膠層進行對準曝光，然后顯影、定影，去除曝光區域的光刻膠，使光刻膠層上形成多個并排的第一凹槽，各第一凹槽所在位置的裸銅框架露出，之后堅膜；?

步驟3：噴淋腐蝕第一凹槽下露出的裸銅框架部分，使得裸銅框架正面形成多個并排的第二凹槽，相鄰兩第二凹槽之間有隔墻，然后去除剩余的光刻膠層；

步驟4：在裸銅框架表面以及所有第二凹槽的表面均勻涂覆第一鈍化層，然后在所有第二凹槽底部的第一鈍化層上刻蝕出UBM₁窗口；

步驟5：采用高頻濺射在所有的UBM₁窗口內以及第二凹槽表面的第一鈍化層表面高頻濺射銅金屬層，銅金屬層的兩端分別位于裸銅框架表面的第一鈍化層上，接著在銅金屬層表面高頻濺射鎳金屬層，再在鎳金屬層表面高頻濺射金金屬層；銅金屬層、鎳金屬層和金金屬層組成UBM₁層；通過光刻、蝕刻步驟，去除多余的金屬層，使相鄰兩個第二凹槽內形成的UBM1層不相接觸，得到半成品引線框架；

步驟6：取步驟1制得的IC芯片，將該IC芯片倒裝上芯在步驟5的半成品引線框架上，使芯片凸點進入第二凹槽內并與UBM₁層底部相連，然后用下填料填充相鄰的芯片凸點之間的空隙以及芯片凸點與UBM₁層之間的空隙；

步驟7：塑封及后固化；

步驟8：磨削將塑封及后固化后的半成品引線框架背面，清洗、烘干；

步驟9：在磨削后的裸銅框架背面涂覆第二鈍化層；然后進行曝光、顯影、定影，再在第二鈍化層上蝕刻出第一圖案凹槽，每一個隔墻在引線框架背面都對應一個第一圖案凹槽；

步驟10：對第一圖案凹槽再進行刻蝕，形成與隔墻相通的第三凹槽；

步驟11：涂覆第三鈍化層，第三鈍化層不僅覆蓋半成品引線框架的背面，而且填滿該半成品引線框架背面所有的凹槽；然后在第三鈍化層上刻蝕出第二圖案凹槽，第二圖案凹槽所在的位置是引腳底面所在位置和需要銅線框架露出的地方；

步驟12：第三鈍化層表面在濺射第一金屬層，同時第一金屬層還充滿所有的第二圖形凹槽，接著在第一金屬層上蝕刻出第四凹槽；?

步驟13：在第三鈍化層表面涂覆第四鈍化層，并使第四鈍化層充滿所有的第四凹槽，然后在第四鈍化層上刻蝕出第五凹槽；

步驟14：在所有的第五凹槽內均濺射多層金屬，形成UBM₂層；

步驟15：回流焊接錫球與UBM₂層，清洗；

步驟16：采用現有工藝進行打印、切割分離和測試，得到帶焊球面陣列四面扁平無引腳封裝件。

本發明生產方法可以替代基板生產的CPS，實現IC芯片靈活應用于引線框架的CSP封裝；其生產成本和開發周期，遠低于基板封裝，具有較大的優勢。擺脫引線框架制造商的限制，生產短、平、快以及不同芯片靈活應用要求的封裝件，減小框架的厚度，滿足薄型封裝要求。

附圖說明

圖1是本發明生產方法中裸銅框架上涂覆光刻膠的剖面示意圖。

圖2是本發明生產方法中曝光顯影做出圖案并堅膜的剖面示意圖。