[發明專利]一種抗靜電且高β晶體含量的聚偏氟乙烯納米復合纖維膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201310508197.5 | 申請日: | 2013-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN103556234A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 李勇進;管繼鵬;邢晨陽;趙麗萍 | 申請(專利權)人: | 杭州師范大學 |
| 主分類號: | D01D1/02 | 分類號: | D01D1/02;D04H1/728;D04H1/42 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抗靜電 晶體 含量 聚偏氟 乙烯 納米 復合 纖維 及其 制備 方法 | ||
1.?一種抗靜電且高β晶體含量的聚偏氟乙烯納米復合纖維膜,為共混物,其特征在于該共混物包括聚偏氟乙烯、離子液體;聚偏氟乙烯與離子液體的質量比為100:0.5~50;
所述的離子液體中的陽離子為咪唑類陽離子、吡啶類陽離子、季銨鹽類陽離子、吡咯類陽離子或哌啶類陽離子;各陽離子的結構如下所示:
????????????????????????????????????????????????????????????????????
(a)咪唑類陽離子;
其中R1為C1~C24的烷基;R2為C1~C24烷基、C2~C24烯基或含羥基、腈基、羧基、氨基、芐基、醚鍵中任意一種官能團的C2~C24基團;
(b)吡啶類陽離子;
其中R3為C1~C24的烷基;
(c)季銨鹽類陽離子;
其中R4、R5、R6各自獨立為C1~C24的烷基;R7為C1~C24烷基、H或含腈基、羥基、羧基中任意一種官能團的基團;
(d)吡咯類陽離子;
其中R8、R9各自獨立為C1~C24的烷基;
(e)哌啶類陽離子;
其中R10、R11各自獨立為C1~C24的烷基;
所述的離子液體中的陰離子為PF6-、BF4-、Br-、Cl-、I-、NO3-、CF3CO2-、CH3COO-或(CF3SO3)2N-。
2.如權利要求1所述的一種抗靜電且高β晶體含量的聚偏氟乙烯納米復合纖維膜,其特征在于該聚偏氟乙烯納米復合纖維膜中聚偏氟乙烯與離子液體的質量比為100:2~20。
3.如權利要求1所述的一種抗靜電且高β晶體含量的聚偏氟乙烯納米復合纖維膜,其特征在于所述的離子液體為咪唑類離子液體。
4.如權利要求3所述的一種抗靜電且高β晶體含量的聚偏氟乙烯納米復合纖維膜,其特征在于所述的離子液體為1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杭州師范大學,未經杭州師范大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310508197.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:CMOS晶體管的制作方法
- 下一篇:用于形成半導體器件的方法





