[發明專利]一種基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝

有效

• 申請號: 201310507706.2
• 申請日: 2013-10-24
• 公開（公告）號: CN103500737B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 何中偉;李杰;賀彪;劉海亮;周冬蓮
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司32224
• 代理人: 董建林

1.?一種基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，包括帶空腔LTCC基板、金屬圍框和金屬蓋板，LTCC基板頂面設置環狀共晶焊道膜層，金屬圍框與LTCC基板頂面共晶焊接后形成一體化LCC封裝殼體，在一體化LCC封裝殼體上的金屬圍框上平行縫焊金屬蓋板形成整體封裝；

帶空腔LTCC基板的底面四邊以一設定節距e引出金屬膜層，與四周側壁同一節距e排列的半圓柱孔金屬膜層連通，構成SMT焊區端子。

2.根據權利要求1所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，所述帶空腔LTCC基板的底面四邊引出金屬膜層寬度為0.5e～0.7e，長度為e。

3.根據權利要求1所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，所述帶空腔LTCC基板的四周側壁半圓柱孔金屬膜層高度為0.67T，半徑R為0.2e～0.3e，其中，T為LTCC基板厚度。

4.根據權利要求1所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，LTCC基板頂面設置的環狀共晶焊道膜層，膜層寬度為1.2W～1.5W，W為金屬圍框壁厚。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，LTCC基板底面金屬膜層和四周側壁半圓柱孔金屬膜層、頂面共晶焊道膜層均采用PdAg厚膜導體漿料制作。

6.根據權利要求1所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，LTCC基板的面積尺寸A×B≤15mm×15mm；方框形金屬圍框的長度C＝A－(0.8～1)mm、寬度D＝B－(0.8～1)mm、高度h＝0.5mm～2mm、壁厚W＝0.8mm～1mm，采用可伐合金制作，表面先鍍底層鎳、后鍍表層金。

7.根據權利要求6所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，薄片形金屬蓋板的長度E＝C－0.1mm、寬度F＝D－0.1mm、四周縫焊方框形邊厚度h2＝0.1mm，蓋板中部區域厚度h1＝0.25mm、長度E1＝E－2(W＋0.2mm)、寬度F1＝F－2(W＋0.2mm)，采用可伐合金制作，表面先鍍底層鎳、后鍍表層金。

8.根據權利要求1所述的基于LTCC基板的耐過載一體化LCC封裝，其特征是，制作工藝過程為：

加工帶空腔LTCC基板，

制作LTCC基板四周側壁半圓柱孔端子金屬膜層，

金屬圍框與帶空腔LTCC基板共晶焊接為一體化LCC封裝殼體，

LTCC基板四角倒角加工，

在一體化LCC封裝殼體內組裝元器件，

平行縫焊金屬蓋板與一體化LCC封裝殼體。