[發(fā)明專利]一種NiO:Cu/ZnO異質(zhì)pn結(jié)二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310507639.4
• 申請(qǐng)日: 2013-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN104218098A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李彤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種NiO：Cu／ZnO異質(zhì)pn結(jié)二極管，至少包括pn結(jié)和歐姆接觸電極，其特征在于：所述pn結(jié)是由p型NiO：Cu薄膜和n型ZnO薄膜而得到的異質(zhì)pn結(jié)。

2.權(quán)利要求1所述NiO：Cu／ZnO異質(zhì)pn結(jié)二極管的制備方法，其特征在于：用磁控濺射工藝在Si襯底上制備NiO：Cu薄膜和ZnO薄膜形成異質(zhì)pn結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于：本發(fā)明采用NiO：CuO陶瓷靶，磁控濺射工藝制備NiO：Cu薄膜，在此采用氧分壓O₂／(O₂+Ar)=0％-100％。濺射前的腔體本底真空度優(yōu)于3x10^-4pa，濺射氣壓為0.5-2Pa，濺射功率為100-200W。在鍍膜之前，預(yù)濺射5min以去除靶材表面的雜質(zhì)。鍍膜時(shí)間均為20-120min，襯底溫度從RT變化至600℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于：本發(fā)明采用ZnO陶瓷靶，磁控濺射工藝制備ZnO薄膜，在此采用氧分壓O₂／(O₂+Ar)=0％-100％。濺射前的腔體本底真空度優(yōu)于3x10^-4pa，濺射氣壓為0.5-2Pa，濺射功率為50-150W。在鍍膜之前，預(yù)濺射5min以去除靶材表面的雜質(zhì)。鍍膜時(shí)間均為20-120min，襯底溫度從RT變化至600℃。

5.權(quán)利要求1或2或3或4所述NiO：Cu／ZnO異質(zhì)pn結(jié)二極管的制備方法，其特征在于：采用濺射法或熱蒸發(fā)法在pn結(jié)上制作電極；其中，NiO：Cu和ZnO表面沉積鎳，鋁或金電極。