[發明專利]一種多電極電路系統在離子注入機中的應用

無效

• 申請號: 201310507590.2
• 申請日: 2013-10-24
• 公開（公告）號: CN104576274A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 丁振理
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/147
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明是一種多電極電路系統，調節離子注入機中通過多電極裝置的離子束分布狀況，進而達到提高離子束均勻性改善產品質量的目的。

背景技術

集成電路制造技術及工藝是關乎國計民生的戰略性工程，對保障國家安全和增強綜合國力具有重大戰略意義，是一種高新技術產業。集成電路芯片制造概括的來講就是將元器件做在極小半導體芯片上的過程。通常情況下，要完成集成電路芯片的制造過程需要數十種工藝設備的數百道工序。一條工藝線主要有曝光、刻蝕、離子注入、氧化、鍍膜等工藝，這些工藝多次循環往復進行。離子注入技術與常規熱摻雜工藝相比具有高精度的劑量均勻性與重復性，橫向擴散小等優點。離子注入克服了常規工藝的限制，提高了電路的集成度、速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗，因此離子注入機廣泛用于摻雜工藝，當代VLSI、ULSI等工藝重要特征之一就是“全離子注入”。離子注入對控制半導體的摻雜剖面，結深，保證器件各項電參數非常重要。

經過對低能大束流項目的指標參數和工藝要求分析，但由于工藝技術和工藝特點不同，為了提高離子束均勻性，得到更加優質的產品，所以需要調整離子束分布狀況，通過多電極電路系統產生的高壓到多電極裝置上，產生橫向可變的電場，從而影響通過此裝置的離子束的分布，通過調節多電極裝置各個電極的電場；可以使離子束均勻性達到改善的效果，從而得到更高質量的產品。

發明內容

本發明針對一種多電極電路系統在離子注入機中的應用，采用比較放大控制電路。

本發明通過以下技術方案實現：

1.圖1多電極電路系統接線框圖包括：PSI控制器(1)、多電極電路系統(2)、多電極裝置(3)、輔助電路(4)、控制電路模塊(5)、高壓產生單元(6)、高壓放大輸出單元(7)。工作流程：首先PSI控制器(1)輸出0-10V直流模擬量，進入多電極電路系統(2)的控制電路模塊(5)，經過控制模塊處理的信號，分成兩路：一路反饋回PSI控制器(1)用于指示當前的輸出狀態；一路經過高壓放大輸出單元(7)產生高壓送到多電極裝置(3)，多電極裝置(3)多個電極之間產生相應的所需要可變可調節的電場(圖2多電極裝置電場線示意圖所示)，進而影響通過該裝置的離子束的分布情況；從而達到控制離子束均勻性目的。通過調節多個電極之間的電壓大小比例可以使離子束均勻性達到改善的效果。

2.如如權利要求1所述一種多電極電路系統在離子注入機中的應用，其特征在于，其中所述的多電極控制電路模塊的設計如圖3多電極電路系統單路控制電路原理圖，控制電路輸出的值的取值量程公式Aout=2*Ain-10；控制電路反饋公式Af=0.5*Aout+5。(此電路Ain為控制量輸入；Aout為控制電路輸出；Af為其反饋值)。為了使電路反饋信號有效可靠，利用Aout作為控制電路反饋輸入及其反函數代換處理，從而達到監控電路電氣性能的目的。

3.如權利要求1所述，其中所述的通過PSI控制器給多電極電源調節輸出電壓輸出給多電極裝置(3)，多個電極之間產生相應的所需要橫向可調節的電場(圖2多電極裝置電場線示意圖所示)，進而影響通過該裝置的離子束的分布情況。進而達到提高產品質量的目的。

本發明具有如下優點：

為了提高離子束均勻性，得到更加優質的產品，所以需要得到合適的電子流，所以需要調整離子束分布狀況，通過多電極電路系統產生的高壓輸到多電極裝置上，產生橫向可變的電場，從而影響通過此裝置的離子束的分布，通過調節多電極裝置各個電極的電場；可以使離子束均勻性達到改善的效果，從而得到更高質量的產品。

附圖說明

圖1多電極電路系統接線框圖

圖2多電極裝置電場線示意圖

圖3多電極單路控制電路原理圖

圖4多電極裝置結構示意圖

具體實施方式

下面結合附圖的具體實施例對本發明作進一步介紹，這些描述都是說明性的，本發明不限于此。本發明的范圍僅由所附權利要求的范圍所限定。