[發明專利]透明導電性膜、其制造方法及具備其的觸摸面板有效
| 申請號: | 201310506879.2 | 申請日: | 2011-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN103632753A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 拝師基希;梨木智剛;野口知功;淺原嘉文 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;G06F3/044;G06F3/045 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電性 制造 方法 具備 觸摸 面板 | ||
1.一種透明導電性膜,其特征在于,其為在透明的膜基材的至少一面具有透明導電性薄膜層疊體的透明導電性膜,
所述膜基材為厚度2~200μm的塑料膜,
所述透明導電性薄膜層疊體中,從所述透明導電性薄膜層疊體的表面側開始具有第一透明導電性薄膜和第二透明導電性薄膜,
所述第一透明導電性薄膜為氧化錫的比例超過0且為6重量%以下的銦錫復合氧化物的結晶質膜,
所述第二透明導電性薄膜為氧化錫的比例3~25重量%的銦錫復合氧化物的結晶質膜,
所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例比所述第一透明導電性薄膜大,
所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為35nm以下。
2.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述膜基材的厚度為2~120μm。
3.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述膜基材的厚度為2~100μm。
4.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述膜基材為包含聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂或聚烯烴系樹脂的塑料膜。
5.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述膜基材為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。
6.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第一透明導電性薄膜的厚度為1~17nm。
7.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第一透明導電性薄膜的厚度為1~12nm。
8.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第一透明導電性薄膜的厚度為1~6nm。
9.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~34nm。
10.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~29nm。
11.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的厚度為9~24nm。
12.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為5~25重量%。
13.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為7~25重量%。
14.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例為8~25重量%。
15.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例與所述第一透明導電性薄膜的氧化錫的比例之差為3~25重量%。
16.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第二透明導電性薄膜的氧化錫的比例與所述第一透明導電性薄膜的氧化錫的比例之差為5~25重量%。
17.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述第一透明導電性薄膜和所述第二透明導電性薄膜分別通過濺射法來形成。
18.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述透明導電性薄膜層疊體整體的厚度為30nm以下。
19.根據權利要求1所述的透明導電性膜,其特征在于,所述透明導電性薄膜層疊體由所述第一透明導電性薄膜和所述第二透明導電性薄膜這2個透明導電性薄膜構成。
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