[發(fā)明專利]一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)及其導(dǎo)流方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310505537.9
• 申請(qǐng)日: 2013-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103590103A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇文佳;左然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B28/06
• 分類號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，包括氬氣進(jìn)口直管（7）、石墨坩堝（12）和蓋在所述石墨坩堝（12）頂部的蓋板（8），所述氬氣進(jìn)口直管（7）穿過(guò)所述蓋板（8）將氬氣導(dǎo)入所述石墨坩堝（12）內(nèi)，其特征在于，所述石墨坩堝（12）的開(kāi)口邊緣開(kāi)有若干凹槽(6)，所述蓋板(8)和所述凹槽(6)構(gòu)成石墨坩堝的頂部側(cè)排氣口(15)，所述頂部蓋板(8)上繞所述氬氣進(jìn)口直管(7)對(duì)稱分布若干蓋板排氣口(14)，所述氬氣進(jìn)口直管(7)出口端與喇叭形進(jìn)口管(10)的進(jìn)口端連接，所述氬氣進(jìn)口直管(7)出口端側(cè)壁上沿氬氣進(jìn)口直管的中心軸線對(duì)稱分布有若干出口氣孔(9)，所述喇叭形進(jìn)口管(10)的出口端與噴淋式進(jìn)口管(5)的進(jìn)口端連接，所述噴淋式進(jìn)口管(5)為有底管，所述噴淋式進(jìn)口管(5)的底部沿氬氣進(jìn)口直管的中心軸線對(duì)稱分布有若干底部氣孔(3)，所述噴淋式進(jìn)口管(5)的側(cè)壁上也沿氬氣進(jìn)口直管的中心軸線對(duì)稱開(kāi)有若干側(cè)壁氣孔(4)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，其特征在于，所述凹槽(6)的形狀為圓形或三角形或多邊形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，其特征在于，所述蓋板排氣口(14)的形狀為圓形或三角形或多邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，其特征在于，所述出口氣孔(9)的形狀為圓形或三角形或多邊形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，其特征在于，所述底部氣孔(3)的形狀為圓形或三角形或多邊形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)，其特征在于，所述側(cè)壁氣孔(4)的形狀為圓形或三角形或多邊形。

7.一種多晶硅鑄錠爐氬氣導(dǎo)流系統(tǒng)的導(dǎo)流方法，包括如下步驟：

A?在多晶硅熔料階段，向上提升氬氣進(jìn)口直管(7)，使喇叭形進(jìn)口管(10)的進(jìn)口端與蓋板(8)接觸，保證氬氣流量為10-100?slm，以減少氬氣對(duì)熔體硅的冷卻作用;

B?在晶體硅生長(zhǎng)和收尾階段，向下移動(dòng)氬氣進(jìn)口直管(7)，使噴淋式進(jìn)口管(5)的底部與熔體硅自由表面距離為10-200?mm，氬氣流量為20-100?slm。