[發(fā)明專利]紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310505423.4
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104574710A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 西安造新電子信息科技有限公司
• 主分類號: G08B3/10
• 分類號: G08B3/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)門鈴一般多由按鍵開關(guān)控制鈴聲。這種傳統(tǒng)門鈴很難避免孩童們惡作劇地亂按，因而有不少門鈴用一段時間被棄之不用；也有遇到您回家時兩手拿著很多東西，騰不出手按門鈴讓家人開門，最需要告知家人開門的時候，門鈴卻發(fā)揮不了作用。

紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴是通過人體釋放的紅外熱量來感應(yīng)觸發(fā)門鈴發(fā)聲，而不再需要用手指按動門鈴開關(guān)。當(dāng)有客人來訪時，門鈴會自動發(fā)出“叮咚”聲音，通知主人開門迎客。只要紅外感應(yīng)式電子門鈴的紅外探測窗口設(shè)定的高度和位置合適，基本可以杜絕孩童們惡作劇現(xiàn)象的發(fā)生。

經(jīng)過多種方案的試驗、比較和分析，本發(fā)明使用少量普通元器件實現(xiàn)了門鈴電路結(jié)構(gòu)簡單、造價低廉、性能可靠的目標(biāo)要求。以下詳細(xì)說明這種紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴制作的相關(guān)技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的及有益效果：本發(fā)明是通過人體釋放的紅外熱量來感應(yīng)觸發(fā)門鈴發(fā)聲，而不再需要用手指按動門鈴開關(guān)。當(dāng)有客人來訪時，門鈴會自動發(fā)出“叮咚”聲音，通知主人開門迎客。只要紅外感應(yīng)式電子門鈴的紅外探測窗口設(shè)定的高度和位置合適，基本可以杜絕孩童們惡作劇現(xiàn)象的發(fā)生。

技術(shù)特征：紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴，由直流電源、門鈴聲集成電路(IC2)、音頻放大電路和揚聲器(BL)組成，其特征是：電路中的紅外感應(yīng)元件采用BH9402型熱釋電紅外探測模塊(IC1)，音頻放大電路采用直耦式音頻放大電路。

電路的組成及電路中元器件之間的連接關(guān)系

1.熱釋電紅外探測模塊(IC1)的1腳接直流電源的正極(VCC)，熱釋電紅外探測模塊(IC1)的信號輸出端2腳接電阻R1的一端，熱釋電紅外探測模塊(IC1)的4腳接電路地(GND)。

2.門鈴聲集成電路(IC2)的1腳接電阻R1的另一端，門鈴聲集成電路(IC2)的2腳同接電阻R2的一端和電解電容C1的正極，電阻R2的另一端和電解電容C1的負(fù)極接電路地(GND)，門鈴聲集成電路(IC2)的3腳同接電阻R3的一端和電解電容C2的正極，電阻R3的另一端和電解電容C2的負(fù)極接電路地(GND)，門鈴聲集成電路(IC2)的4腳接電路地(GND)，門鈴聲集成電路(IC2)的7腳接電阻R4的一端，門鈴聲集成電路(IC2)的8腳接電阻R4的另一端，門鈴聲集成電路(IC2)的6腳接直流電源的正極(VCC)。

3.直耦式音頻放大電路中電阻R5的一端接門鈴聲集成電路(IC2)的5腳，電阻R5的另一端接NPN硅晶體管VT1的基極，NPN硅晶體管VT1的發(fā)射極接電路地(GND)，NPN硅晶體管VT1的集電極接PNP硅晶體管VT2的基極，PNP硅晶體管VT2的發(fā)射極接直流電源的正極(VCC)，PNP硅晶體管VT2的集電極串接揚聲器(BL)后接電路地(GND)。

電路工作原理

紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴由熱釋電紅外探測模塊(IC1)、門鈴聲集成電路(IC2)、音頻放大電路和揚聲器(BL)組成。

當(dāng)有客人來訪時，熱釋電紅外探測模塊(IC1)通過房門上的小孔感應(yīng)到門外人體的紅外輻射信號，熱釋電紅外探測模塊(IC1)的2腳(CP)輸出觸發(fā)信號，使門鈴聲集成電路(IC2)的5腳輸出門鈴聲信號，該鈴聲電信號經(jīng)過硅晶體管VT1、VT2直耦式放大后，驅(qū)動揚聲器(BL)發(fā)出“叮咚”聲。

附圖說明

1.附圖是紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴的電路工作原理圖。

2.附圖中的IC1為BH9402型熱釋電紅外探測模塊，該模塊有4根引腳。

具體實施方式

按照附圖所示的紅外感應(yīng)式電子叮咚門鈴工作原理圖和附圖說明及以下所述的元器件技術(shù)要求進行實施，即可實現(xiàn)本發(fā)明。

元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)

1.R1～R5選用1／8W金屬膜電阻或碳膜電阻，電阻R1的阻值為10KΩ，電阻R2的阻值為150KΩ，電阻R3的阻值為330KΩ，電阻R4的阻值為500KΩ，電阻R5的阻值為200KΩ。

2.C1和C2均選用耐壓值10V的鋁殼電解電容，容量均為10μF。

3.VT1選用2SC9013或3DG6型NPN硅晶體管，VT2選用2SC9012或3CG21型PNP硅晶體管。