[發明專利]光學鄰近修正方法有效
| 申請號: | 201310505098.1 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN104570585B | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 王輝 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學鄰近修正 光刻膠模型 光學模型 掩膜版圖形 參考 曝光 物理性 可變 擬合 搭配 測試 修正 保證 | ||
1.一種光學鄰近修正方法,其特征在于,包括:
獲取測試掩膜版圖形;
根據所述測試掩膜版圖形產生光學模型及光刻膠模型,所述光刻膠模型為可變曝光參考閾值的光刻膠模型;
同時擬合所述光學模型與光刻膠模型,以獲得修正所述測試掩膜版圖形的最佳參數值;
且,同時擬合所述光學模型與光刻膠模型,以獲得修正所述測試掩膜版圖形的最佳參數值為:同時尋找所述光學模型與光刻膠模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的參數值;
且,尋找所述光刻膠模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的參數值步驟中,光刻膠模型各參數的步長包括第一步長與第二步長,所述第一步長與第二步長固定且所述第一步長大于所述第二步長,尋找過程包括:首先,以第一步長在各參數范圍內尋找所述光刻膠模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的各參數的初步值,然后,在各參數的初步值所在的第一步長內,以第二步長尋找所述光刻膠模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的各參數的最終值。
2.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,尋找所述光學模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的參數值步驟中,所述光學模型的各參數的步長固定。
3.根據權利要求2所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光學模型的各參數的步長為將所述各參數在其范圍進行若干等份劃分所獲取的值。
4.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光學模型對應的參數至少包括:焦點位置和焦平面位置。
5.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光刻膠模型各參數的第一步長為將所述各參數在其范圍進行若干等份劃分所獲取的值,所述光刻膠模型各參數的第二步長為將所述各參數的第一步長進行若干等份劃分所獲取的值。
6.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光學鄰近修正模型的誤差函數為誤差的均方根值。
7.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光學鄰近修正模型的誤差函數為邊緣布置誤差。
8.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述光學鄰近修正方法還包括:按所述光學模型與光刻膠模型在光學鄰近修正模型的誤差函數為最小值時對應的參數值對所述測試掩膜版圖形進行修正。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





