[發(fā)明專(zhuān)利]生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310505075.0
• 申請(qǐng)日: 2013-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103606528A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹威;張文廣;吳佳宏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，應(yīng)用于設(shè)有工藝腔體的用于硅片生長(zhǎng)鎢的工藝機(jī)臺(tái)中，所述檢測(cè)裝置包含傳輸腔體，其特征在于，還包含設(shè)置在所述傳輸腔體內(nèi)用于將入射光線照射到硅片表面的光源，以及用于接收所述入射光線經(jīng)所述硅片表面反射后的反射光線的接收器；

所述光源將所述入射光線照射到所述硅片表面，由所述硅片將所述入射光線反射至所述接收器，所述接收器根據(jù)接收到的所述反射光線的強(qiáng)弱判斷所述硅片表面是否存在粘附阻擋層；

在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻擋層時(shí)，所述傳輸腔體停止運(yùn)行；在所述接收器判定所述硅片表面存在粘附阻擋層時(shí)，由所述接收器根據(jù)所述反射光線的強(qiáng)度計(jì)算所述粘附阻擋層的厚度是否超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍；

在所述粘附阻擋層的厚度超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，所述傳輸腔體停止運(yùn)行；在所述粘附阻擋層的厚度未超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，由所述傳輸腔體將所述硅片傳輸?shù)剿龉に嚽惑w中進(jìn)行鎢的生長(zhǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，其特征在于，所述接收器還具有一個(gè)報(bào)警單元，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻擋層時(shí)，或者在所述粘附阻擋層的厚度超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，所述報(bào)警單元進(jìn)行報(bào)警。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，其特征在于，所述報(bào)警單元包含揚(yáng)聲器和/或警示燈。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，其特征在于，所述粘附阻擋層為T(mén)i/TiN，所述粘附阻擋層的預(yù)設(shè)的厚度范圍根據(jù)不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)整。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，其特征在于，所述光源采用波長(zhǎng)范圍為450-850nm的白光光源。

6.一種生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)方法，采用如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)包括如下步驟：

步驟S1，于傳輸腔體內(nèi)預(yù)設(shè)一光源和一接收器；

步驟S2，所述光源將所述入射光線照射到所述硅片表面，由所述硅片將所述入射光線反射至所述接收器；

步驟S3，所述接收器根據(jù)接收到的所述反射光線的強(qiáng)弱判斷所述硅片表面是否存在粘附阻擋層；

步驟S4，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻擋層時(shí)，所述傳輸腔體停止運(yùn)行；在所述接收器判定所述硅片表面存在粘附阻擋層時(shí)，由所述接收器根據(jù)所述反射光線的強(qiáng)度計(jì)算所述粘附阻擋層的厚度是否超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍；

步驟S5，在所述粘附阻擋層的厚度超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，所述傳輸腔體停止運(yùn)行；在所述粘附阻擋層的厚度未超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，由所述傳輸腔體將所述硅片傳輸?shù)剿龉に嚽惑w中進(jìn)行鎢的生長(zhǎng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)方法，其特征在于，所述接收器還具有一個(gè)報(bào)警單元，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻擋層時(shí)，或者在所述粘附阻擋層的厚度超過(guò)預(yù)設(shè)的厚度范圍時(shí)，所述報(bào)警單元進(jìn)行報(bào)警。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)方法，其特征在于，所述報(bào)警單元包含揚(yáng)聲器和/或警示燈。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)方法，其特征在于，所述粘附阻擋層為T(mén)i/TiN，所述粘附阻擋層的預(yù)設(shè)的厚度范圍根據(jù)不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)整。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生長(zhǎng)鎢前的硅片檢測(cè)方法，其特征在于，所述光源采用波長(zhǎng)范圍為450-850nm的白光光源。