[發(fā)明專利]等離子體處理腔室及其去夾持裝置和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310504954.1
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104576280A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜若昕;梁潔;王洪青;劉志強(qiáng);蘇興才
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種等離子體處理腔室，其中，包括：

一腔體；

基臺，其設(shè)置于腔體下方，基片放置于所述基臺表面；

設(shè)置于所述基臺內(nèi)部的若干冷卻氣體通道，其中通有冷卻氣體，所述冷卻氣體通道在所述基臺和基片之間設(shè)置有一個噴氣孔，所述冷卻氣體能夠通過噴氣孔將冷卻氣體噴向基片背面；

若干升舉頂針，其可移動地設(shè)置于基臺內(nèi)部，能夠向上頂起基片，

靜電夾盤，位于所述基臺的上部，其最上層設(shè)置有一絕緣層，在所述絕緣層中設(shè)置有一電極，

其中，所述電極分別連接有一直流電源和一交流電源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，在所述基臺下方還設(shè)置有一冷卻氣體供應(yīng)裝置，所述冷卻氣體供應(yīng)裝置連接于所述冷卻氣體通道，用于向所述冷卻氣體通道供應(yīng)冷卻氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述冷卻氣體包括氦氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，在所述基臺下方還設(shè)置有一提升裝置，其連接于升舉頂針，并提升所述升舉頂針使得所述升舉裝置接觸于所述基片背面，從而帶動所述基片向上移動。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述提升裝置包括氣泵等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述電極連接有一電源裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述電源裝置包括并聯(lián)的雙震開關(guān)和直流電源，其中，所述雙震開關(guān)通過一控制信號觸發(fā)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述電源裝置包括一控制開關(guān)、直流電源、交流電源，其中所述控制開關(guān)的輸出端連接于所述電極，兩個輸入端分別連接所述直流電源和交流電源。

9.一種用于等離子體處理腔室的基片去夾持方法，其中，所述等離子體處理腔室包括權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的等離子體處理腔室，其中，所述去夾持方法包括如下步驟：

在基片的主制程階段結(jié)束以后，向等離子體處理腔室的基臺中的電極施加反向直流電壓；

然后，向所述電極施加交變電壓，在上述過程中，持續(xù)對所述基片背面供應(yīng)冷卻氣體；

接著，當(dāng)冷卻氣體漏率持續(xù)第一時(shí)間不小于預(yù)定閾值，則判定基片已經(jīng)去夾持。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去夾持方法，其特征在于，所述反向直流電壓的取值范圍為200V～300V，施加反向直流電壓的持續(xù)時(shí)間為3s～5s。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去夾持方法，其特征在于，所述交變電壓為150v。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去夾持方法，其特征在于，所述交變電壓施加的頻率為0.1hz～1hz。

13.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求9所述的去夾持方法，其特征在于，所述冷卻氣體是氦氣。