[發明專利]利用絲網印刷工藝實現低成本叉指換能器和反射柵的制備無效
| 申請號: | 201310504263.1 | 申請日: | 2013-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN103522783A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 滕建輔;黃媛昕;李琨;軒秀巍;曹陽 | 申請(專利權)人: | 天津理工大學 |
| 主分類號: | B41M1/12 | 分類號: | B41M1/12 |
| 代理公司: | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 絲網 印刷 工藝 實現 低成本 叉指換能器 反射 制備 | ||
技術領域
?本發明屬于聲表面波裝置中的叉指換能器和反射柵的制備領域,具體涉及到利用絲網印刷工藝實現低成本的叉指換能器和反射柵的制備方法。
背景技術
聲表面波(surface?acoustic?wave)器件是現今電子電路中的關鍵元件,具有可靠性高、小型、多功能以及設計靈活等優點,所以它在雷達、通信、電子戰、聲納以及電視中已經或者正在得到廣泛應用。聲表面波器件主要功能部分,是采用現代微電子技術在表面拋光壓電材料基片上制作的叉指換能器、反射柵等結構,基于(逆)壓電效應,射頻信號在叉指換能器中經歷聲電換能過程得到處理,達到預定功能要求。
雖然已有的制備聲表面波器件的微電子工藝能夠制作出極其精細的微納電路(最小線條能夠達到32納米或更低),但所需要的薄膜沉積、光刻、刻蝕、封裝等工藝復雜。而最新的紫外光刻設備造價高達數千萬美元,生產32nm以下集成電路的極紫外光刻設備造價將超過1億美元,如此高昂的投資已使集成電路的生產成為全球少數企業能夠負擔得起的產業。
發明內容
(一)????要解決的技術問題
有鑒于此,本發明的目在于提供一種利用絲網印刷工藝制作叉指換能器和反射柵的方法,以解決現有叉指換能器和反射柵的制備成本較高的問題,便于大批量投入生產。
(二)??技術方案
為達到上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種利用絲網印刷工藝制作叉指換能器和反射柵的方法,該方法是利用刮墨板將黏性導電銀漿通過網版上的圖案通孔印刷到基板上獲得叉指換能器和反射柵的圖形,并經過高溫烘培使銀漿固化,以制作出聲表面波器件。
上述方案中,具體步驟包括:
第1、制絲網
根據應用場合的具體需求,設計聲表面波器件版圖,將待印刷的版圖制成用于絲網印刷的掩膜板;
第2、印刷
采用導電銀漿作為墨水,以拋光的壓電材料基片作為基材,按照給墨、刮墨和收墨的順序對基材進行印刷;
第3、烘培
將印刷完畢的產品放入紅外烤箱內,逐漸加熱到130℃~150℃,并持續加熱1分鐘左右,之后置于室溫自然冷卻。使得液體銀墨水能夠燒結為固體,并具有良好的導電性即可。
?
其中第1步中所描述的制作網版的方法包括直接制版法、間接制版法和直間混合制版法。
第2步中所述的導電墨水,鑒于印刷電子工藝的發展現況,一般使用銀材料。所述的承載物是具有壓電效應的壓電基片。承載物為平整、潔凈的壓電材料基片。
其中所述的壓電材料基片包括壓電單晶如石英、LiNbO3、LiTaO3,所描述的壓電多晶如PZT陶瓷,所描述的壓電薄膜如ZnO、AlN、金剛石。
(三)??有益效果
從上述技術方案中可以看出本發明具有以下有益效果:
1.本發明提供的該采用絲網印刷工藝制備叉指換能器和反射柵的方法與傳統微電子光刻工藝形成強烈對比,可以極大降低成本,有利于投入大規模生產。
2.?本發明提供的該采用絲網印刷工藝制備叉指換能器和反射柵的方法,具有工藝步驟少、操作簡單,性能可靠,廢棄物極少,有利環境保護等優點。
下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。
?
附圖說明
圖1?本發明的流程圖。
圖2?本發明實施例需要印刷的叉指換能器結構圖。
圖3本發明實施例需要印刷的叉指換能器的印刷流程圖,其中,???????????????????????????????????????????????是叉指換能器原稿制成網版的過程,是將導電銀墨水均勻布滿網版上,是將導電銀墨水通過網版印刷到石英基片上,將多余的銀墨水收走,將印有叉指換能器圖樣的石英基片進行烘焙,完成器件制備。
?
具體實施方式
為了更進一步說明本發明的目的、技術方案和有益效果,以下結合實施例及附圖,對本發明做詳細描述。
本發明主要是采用基于絲網印刷原理的印刷電子技術,在光滑的基片表面印制線條光滑的叉指換能器和反射柵,并可實現大批量、低成本、環保的生產。
圖1是本發明的工藝流程圖,其中包括以下步驟:
1.繪制叉指換能器和反射柵的版圖。
2.制作網版。
3.印刷。
4.烘焙(干燥)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津理工大學,未經天津理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310504263.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種疊層式三維LTCC垂直互連微波模塊
- 下一篇:半導體封裝件及其制法





