[發明專利]一種雙層凸點二極管芯片制備方法

在審

• 申請號: 201310504121.5
• 申請日: 2013-10-24
• 公開（公告）號: CN104576416A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 林志貴
• 申請（專利權）人: 揚州倍英斯微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明為一種雙層凸點二極管芯片制備方法，屬于半導體分立器件二極管芯片技術領域。?

背景技術

二極管芯片的后道封裝的引線部分有金屬引線鍵合和焊片燒結兩種方式，其中采用焊片燒結的工藝通常采取的是半自動或者手動的方式，普遍采取的是絲網的方法將已經裂片的二極管芯片進行芯片預焊（芯片兩面焊上焊料），然后進行芯片裝架（將預焊好的芯片裝在引線框架上），最后經過加熱燒結的工藝完成引線的鍵合。此方式由于采取兩次絲網印刷，一步擺片，效率低，良率低，且容易產生焊接缺陷。?

集成電路（IC）芯片的BGA（球柵列陣）封裝技術，采取的是BGA錫球，通過植球的方式，將BGA錫球植于IC芯片之上，可以獲得良好的引線接觸，并且降低引線電阻功率損耗以及提高散熱性能，已經得到普遍的應用。其中BGA錫球作為BGA封裝焊接材料，生產已經標準化，且價格低廉。?

發明內容

本發明為一種雙層凸點二極管芯片制備方法。?

本發明重點考慮半導體二極管芯片后道封裝焊片燒結工藝的缺陷，提供一種便于后道封裝燒結過程雙層凸點二極管芯片，給出了實現凸點二極管芯片的制備方法，以及雙層凸點芯片結構。?

本發明的優點和積極效果是：把錫合金球直接燒結在二極管芯片金屬電極鍵合點位置，作為二極管芯片陰極、陽極金屬化后工藝的延伸，可以實現整片圓晶的批量化操作，效率高且可靠性好，可以省去后道封裝過程中的芯片預焊接工藝，縮短了封裝工藝流程，降低封裝成本，這對普遍采取半自動和手動方式擺片操作的二極管后道封裝工藝有著非常積極的意義。

附圖說明

圖1為金屬化后二極管芯片示意圖?

圖2?為二極管芯片陽極植球過程示意圖

圖3陽極凸點二極管芯片示意圖

圖4為二極管芯片陰極二次植球過程示意圖

圖5?為雙層凸點二極管芯片結構示意圖

具體實施方式

本發明專利具體實施方法為：?

半導體二極管芯片金屬化完成之后結構示意圖如圖1所示，參見圖2，將整個圓片陽極面沖上，在圓片上擱置根據芯片版圖尺寸制作好的鋼網5并對準，使鋼網開洞位置與每個二極管管芯的陽極2鍵合點處一一對應，通過鋼網5在焊盤開口處植入錫合金球6，錫合金球的直徑要小于鋼網開洞尺寸，移除鋼網，將植好球的二極管芯片通過加熱使錫合金球融化回流，待冷卻后，錫合金球6與二極管芯片金屬陽極2形成歐姆接觸，并形成陽極凸點二極管芯片結構，參見圖3。將陽極凸點二極管芯片翻轉，使其陰極面沖上，并在二極管芯片陰極3上方擱置鋼網5，通過對準使鋼網5的開孔位置與每個管芯陰極鍵合點一一對應，通常二極管陰極為無圖形的金屬層，陰極鋼網的對準位置要和芯片陽極鍵合點的位置一一對應。重復陽極植球過程，進行二極管芯片的二次植球，如圖4所示，最后得到雙層凸點二極管芯片結構，如圖5所示。最后在圓晶劃片線4位置進行切割，形成單個雙層凸點二極管芯片用以后道封裝。