[發明專利]包含具有鏡像晶體管布局的像素單元的圖像傳感器

有效

• 申請號: 201310503867.4
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104009049B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 陳剛;毛杜利;戴幸志
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 齊楊

1.一種圖像傳感器，其包括

第一像素單元，其具有第一多個光電二極管及第一共享浮動擴散區；

第二像素單元，其水平鄰近于所述第一像素單元，具有第二多個光電二極管及第二共享浮動擴散區；

所述第一像素單元的第一像素晶體管區，其具有用于從所述第一共享浮動擴散區讀出圖像數據的多個像素晶體管；及

所述第二像素單元的第二像素晶體管區，其水平鄰近于所述第一像素晶體管區，具有用于從所述第二共享浮動擴散區讀出圖像數據的多個像素晶體管；

其中所述第二像素晶體管區的晶體管布局為所述第一像素晶體管區的晶體管布局的鏡像，且其中所述像素晶體管區各自包含行選擇晶體管及源極隨耦器晶體管，所述圖像傳感器進一步包括在所述第一與第二像素晶體管區之間共享的共享復位晶體管，且其中所述鏡像是關于二等分所述共享復位晶體管的垂直線取得的。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述鏡像是關于將所述第一像素單元與所述第二像素單元分離的垂直線取得的。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中每一像素單元具有不多于一個共享浮動擴散區。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一像素晶體管區在包含所述第一多個光電二極管的第一光電二極管區的外側垂直位移，且其中所述第二像素晶體管區在包含所述第二多個光電二極管的第二光電二極管區的外側垂直位移。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個光電二極管中的每一者包含不多于且不少于四個光電二極管。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其進一步包括：

第三像素單元，其水平鄰近于所述第二像素單元，具有第三多個光電二極管及第三共享浮動擴散區；及

所述第三像素單元的第三像素晶體管區，其水平鄰近于所述第二像素晶體管區，具有用于從所述第三共享浮動擴散區讀出圖像數據的多個像素晶體管，

其中所述第三像素晶體管區的晶體管布局為所述第二像素晶體管區的所述晶體管布局的鏡像。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中所述第二像素晶體管區的源極隨耦器晶體管鄰近于所述第三像素晶體管區的源極隨耦器晶體管安置。

8.一種互補金屬氧化物半導體CMOS圖像傳感器，其包括

第一像素單元，其具有不多于且不少于四個光電二極管的第一光電二極管區及第一共享浮動擴散區；

第二像素單元，其水平鄰近于所述第一像素單元，具有不多于且不少于四個光電二極管的第二光電二極管區及第二共享浮動擴散區；

所述第一像素單元的第一像素晶體管區，其在所述第一光電二極管區的外側垂直位移；及

所述第二像素單元的第二像素晶體管區，其在所述第二光電二極管區的外側垂直位移且水平鄰近于所述第一像素晶體管區，

其中所述第二像素晶體管區的晶體管布局為所述第一像素晶體管區的晶體管布局的鏡像，所述鏡像是關于將所述第一像素單元與所述第二像素單元分離的垂直線取得的，且其中所述像素晶體管區各自包含行選擇晶體管及源極隨耦器晶體管，所述圖像傳感器進一步包括在所述第一與第二像素晶體管區之間共享的共享復位晶體管。

9.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中每一像素單元具有不多于一個共享浮動擴散區。

10.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其進一步包括：

第三像素單元，其水平鄰近于所述第二像素單元，具有不多于且不少于四個光電二極管的第三光電二極管區及第三共享浮動擴散區；及

所述第三像素單元的第三像素晶體管區，其在所述第三光電二極管區的外側垂直移位且水平鄰近于所述第二像素晶體管區，所述第三像素晶體管區具有復位晶體管、行選擇晶體管及源極隨耦器晶體管，

其中所述第三像素晶體管區的晶體管布局為所述第二像素晶體管區的所述晶體管布局的鏡像，所述鏡像是關于將所述第二像素單元與所述第三像素單元分離的垂直線取得的。

11.根據權利要求10所述的圖像傳感器，其中所述第二像素晶體管區的所述源極隨耦器晶體管鄰近于所述第三像素晶體管區的所述源極隨耦器晶體管安置。