[發(fā)明專利]制造用于有機(jī)發(fā)光二極管的光提取基板的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310503837.3
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103779510A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔殷豪;樸峻亨;白逸姬;劉泳祚
• 申請（專利權(quán)）人: 三星康寧精密素材株式會社
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

相關(guān)申請的交叉引用

本發(fā)明涉及制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的光提取基板的方法，且更具體地涉及制造用于OLED的光提取基板的方法，由此可以人工控制從OLED發(fā)出的光的散射分布。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氧化鋅（ZnO）前驅(qū)體和利用該前驅(qū)體沉積ZnO類薄膜的方法，更具體地，本發(fā)明涉及一種ZnO前驅(qū)體和利用該前驅(qū)體沉積ZnO類薄膜的方法，使用該ZnO前驅(qū)體可以沉積高質(zhì)量和高純度的ZnO類薄膜。

背景技術(shù)

通常，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括陽極、發(fā)光層和陰極。當(dāng)在陽極與陰極之間施加電壓時，空穴被從陽極注入到空穴注入層中，然后從空穴注入層通過空穴傳輸層遷移至有機(jī)發(fā)光層，且電子被從陰極注入到電子注入層中，然后從電子注入層通過電子傳輸層遷移至發(fā)光層。被注入到發(fā)光層中的空穴和電子在發(fā)光層中彼此重新組合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)該激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)時，發(fā)出光。

根據(jù)驅(qū)動以矩陣形狀排布的N*M數(shù)目的像素的機(jī)制，包括OLED的有機(jī)發(fā)光顯示器被分為無源矩陣型和有源矩陣型。

在有源矩陣型中，限定發(fā)光區(qū)的像素電極和向像素電極施加電流或電壓的單位像素驅(qū)動電路被置于單位像素區(qū)域中。單位像素驅(qū)動電路具有至少兩個薄膜晶體管(TFT)和一個電容器。由于該構(gòu)造，單位像素驅(qū)動電路可提供恒定電流，與像素的數(shù)目無關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)均勻亮度。有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器功耗小，從而可有利地用于高清晰度顯示器和大顯示器。

然而，在使用OLED的平面光源裝置的情況下，由于發(fā)出的光被OLED的內(nèi)部或界面反射或吸收而不是向外離開，薄膜層疊結(jié)構(gòu)造成由發(fā)光層生成的光至少損失一半。因此，必須施加額外的電流以產(chǎn)生所需的亮度水平。在此情況下，功耗增加，從而減少裝置的壽命。

為了克服這一問題，需要用于提取光以使其向外離開的技術(shù)，否則所述光將會在OLED之內(nèi)或在OLED的界面處損失掉。該技術(shù)被稱為光提取技術(shù)。使用光提取技術(shù)克服問題的方案是除去防止在OLED內(nèi)部或在OLED的界面損失的光向前運(yùn)行或阻礙光的行進(jìn)的任何因素。通常用于該目的的方法包括外部光提取技術(shù)和內(nèi)部光提取技術(shù)。外部光提取技術(shù)通過在基板的最外表面上形成凹部和凸部或用與基板具有不同折射率的層涂覆所述基板來減少在基板和空氣之間的界面處的全內(nèi)反射。內(nèi)部光提取技術(shù)通過在基板和透明的電極之間表面上形成凹部和凸部或用與基板具有不同折射率的層涂覆基板來減少波導(dǎo)效應(yīng)，所述波導(dǎo)效應(yīng)中中光沿著具有不同的厚度和折射率的層之間的界面行進(jìn)而非向前運(yùn)行。

其中，由于光的散射分布和色坐標(biāo)可根據(jù)凹部和凸部的形狀和尺寸而變化，使用凹凸結(jié)構(gòu)的外部光提取技術(shù)需要根據(jù)OLED的用途來控制凹部和凸部的形狀和尺寸。然而，在諸如使用外部光提取技術(shù)的微透鏡陣列的聚合物片材類型的情況下，由于耐熱性問題，在制造OLED之后將聚合物片材與玻璃基板結(jié)合，并且聚合物片材昂貴，因此難以將聚合物片材與玻璃基板整合。相反，在用無機(jī)材料涂覆基板的情況下，難以控制凹部和凸部的形狀。特別地，在相關(guān)領(lǐng)域中通過光刻法形成光提取層，所述光提取層引起復(fù)雜的問題，如由于使用昂貴的設(shè)備而增加的成本、復(fù)雜的工藝和由所述工藝產(chǎn)生的有害物質(zhì)。

提供發(fā)明背景部分中公開的信息僅用于更好地理解發(fā)明背景，而不應(yīng)被認(rèn)為是承認(rèn)或以任何形式建議該信息形成本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)已知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的各方面提供制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的光提取基板的方法，用所述方法可以人工控制從OLED發(fā)出的光的散射分布。

在本發(fā)明的方面，提供了通過APCVD制造用于OLED的光提取基板的方法。所述方法包括通過將無機(jī)氧化物在基底基板上至少沉積兩次來形成光提取層的步驟，從而控制在光提取層的表面上形成的紋理的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，沉積所述無機(jī)氧化物至少兩次可包括在第一沉積溫度下將所述無機(jī)氧化物沉積在所述基底基板上以形成第一薄膜層；以及在第二沉積溫度下將所述無機(jī)氧化物沉積在所述第一薄膜層上以形成第二薄膜層，從而形成具有雙層結(jié)構(gòu)的所述光提取層。

所述第一薄膜層的厚度在0.4μm至1.7μm的范圍內(nèi)，而所述第二薄膜層的厚度在2.1μm至2.9μm的范圍內(nèi)。

所述第一沉積溫度可與所述第二沉積溫度不同。

所述第一沉積溫度和所述第二沉積溫度可彼此不同并且在350℃至640℃范圍內(nèi)。

沉積所述無機(jī)氧化物至少兩次可通過在線工藝(in-line?process)來進(jìn)行。