[發明專利]一種自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備及其鍍膜方法

有效

• 申請號: 201310503683.8
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103556122B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 馬棟梁;崔德國
• 申請（專利權）人: 蘇州矩陣光電有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，包括腔室，平行且依次設置在腔室內的基片、靶材和磁軛，以及靠近靶材且直接設置在磁軛上的若干永磁鐵，相鄰永磁鐵的磁極方向相反，永磁鐵的磁極方向垂直于靶材；其特征在于，

相鄰所述永磁鐵之間還設置有通電線圈，以及固定設置在所述通電線圈和所述磁軛之間的霍爾傳感器，所述通電線圈的長度方向與所述永磁鐵磁極方向垂直；

所述霍爾傳感器外接磁場強度偵測系統，用于磁場強度的實時監測；

所述通電線圈外接電路控制模塊，所述電路控制模塊與所述磁場強度偵測系統電連接，根據所述磁場強度偵測系統的數據調整流經通電線圈的電流，以改變磁場分布。

2.根據權利要求1所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述通電線圈靠近所述靶材設置。

3.根據權利要求1或2所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述磁場強度偵測系統包括磁場強度偵測模塊和數據處理模塊，所述數據處理模塊將處理得到數據傳輸至所述電路控制模塊。

4.根據權利要求1-3任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述霍爾傳感器為薄片式霍爾傳感器；所述薄片式霍爾傳感器所在平面垂直于所述靶材所在平面。

5.根據權利要求1-4任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述通電線圈在相鄰所述永磁鐵之間居中設置；所述霍爾傳感器相對于所述通電線圈居中設置。

6.根據權利要求1-5任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述霍爾傳感器與所述磁場強度偵測系統之間還電連接設置有信號放大器。

7.根據權利要求1-6任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述永磁鐵在所述磁軛上等距設置。

8.根據權利要求1-7任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述基片、所述靶材和所述磁軛的中心位于同一軸線上。

9.一種權利要求1-8任一所述的自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備的鍍膜方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、在所述自適應磁場調整型磁控濺射鍍膜設備的腔室內通入起輝氣體氬氣，調節氣體流量并控制壓強為0.5Pa～0.8Pa；

S2、在基片與靶材之間施加電壓，生成等離子體，從而產生Ar⁺離子，Ar⁺離子轟擊靶材使，得材料被濺射出來沉積在基片上。

10.根據權利要求9所述的鍍膜方法，其特征在于，步驟S1之前還包括：進行鍍膜測試，得到電流大小、磁場強度和靶材利用率之間的關系，計算出理想曲線的步驟；將所述理想曲線輸入到磁場強度偵測系統中，用于在鍍膜過程中與所述霍爾傳感器偵測到的數據進行實時比對。