[發明專利]一種離子型負性光敏聚酰亞胺材料的制備方法無效
| 申請號: | 201310503208.0 | 申請日: | 2013-10-24 | 
| 公開(公告)號: | CN103554494A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 | 
| 發明(設計)人: | 路慶華;閔瑞 | 申請(專利權)人: | 倚頓新材料(蘇州)有限公司 | 
| 主分類號: | C08G73/10 | 分類號: | C08G73/10;G03F7/038 | 
| 代理公司: | 上海卓陽知識產權代理事務所(普通合伙) 31262 | 代理人: | 巫蓓麗 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離子 型負性 光敏 聚酰亞胺 材料 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及聚酰亞胺材料,具體地說,涉及一種離子型負性光敏聚酰亞胺材料的制備方法。
背景技術
聚酰亞胺(polyimide,PI)是指主鏈上含有酰亞胺環的一類聚合物,一般由芳香二胺和脂肪二酐或者芳香二酐縮聚而成。由于其半梯形和梯形的主鏈結構、芳環的共振作用,使其具有優秀的熱穩定性、化學穩定性、電絕緣性以及高的機械強度,成為具有廣泛應用的高性能材料。此外,它還具有與基板良好的粘附性,以及與半導體工藝良好的匹配性等特點,因此近些年來被廣泛應用于微電子領域,作為微電子器件的絕緣層、鈍化層或者應力緩沖層。
光敏聚酰亞胺(photosensitive?polyimide,PSPI)一般是指對紫外光、X射線、電子束等輻射線敏感,可以通過掩膜板曝光,導致曝光區和非曝光區溶解度的差異以實現圖案化,從而簡化復雜的加工工藝的功能聚酰亞胺。與非光敏性聚酰亞胺比較,光敏聚酰亞胺的光刻制圖工藝過程更簡單,有利于提高成品率,降低生產成本。
現有的光敏聚酰亞胺的制備方法大多數采用共價鍵合成方法,其步驟相當繁瑣,分子量不易控制。有些合成工藝工程會引入氯離子,給半導體工藝應用到來麻煩。因此亟需一種反應步驟簡單、產率高、適于產業化的制備方法。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術中的不足,提供一種離子型負性光敏聚酰亞胺材料的制備方法。
為實現上述目的,本發明采取的技術方案是:
一種離子型負性光敏聚酰亞胺材料的制備方法,包括以下步驟:
a)采用正加料法,即先加芳香二胺,再加芳香四二酸酐:將芳香二胺溶于適量有機溶劑中,待其完全溶解后,以固態懸浮聚合方式加入芳香四二酸酐,機械攪拌,室溫反應得聚酰胺酸溶液,其中所述的芳香二胺與芳香四二酸酐物質的量比例為?1:1.04-1:1.06;
b)避光條件下,在步驟a)所得聚酰胺酸溶液中加入光敏叔胺小分子,機械攪拌,室溫反應得離子型負性光敏聚酰亞胺膠液,其中所述的光敏叔胺小分子與步驟a)中芳香二胺的物質的量比例為2.1∶1;
上述步驟a)和步驟b)的反應過程中,加入適當量的有機溶劑以保證體系固含量在10%-20%之間。
所述的芳香二胺選自4,4’-二氨基二苯醚。
所述的芳香四二酸酐選自3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、均苯四甲酸酐或4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐。
所述的光敏叔胺小分子選自甲基丙烯酸2-(二甲氨基)乙酯或丙烯酸2-(二甲氨基)乙酯。
所述的有機溶劑選自N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或二甲基亞砜(DMSO)。
步驟a)的反應時間為6~8小時。
步驟b)的反應時間為3~5小時。
所述的體系固含量為15%。
本發明制備的離子型光敏聚酰亞胺具有下述化學結構:
其中:
AR1選自?,???,????,
,??,?,
??或???;
AR2選自,??,,??,???,???,,,?,??或???;
R選自?或;
R*選自?,?,
?,????,?或。
本發明優點在于:
1、本發明以芳香四酸二酐和芳香二胺為原料進行聚合,得到聚酰亞胺的前驅體——聚酰胺酸,然后加入小分子光敏叔胺類物質,使光敏叔胺與聚酰胺酸主鏈形成離子型鍵接,最終得到具有負性光敏性能的功能型聚酰亞胺材料,該方法反應步驟簡潔,產率相當高,接近100%,生產過程高度可控,適于產業化;
2、本發明在反應過程中將固含量控制在10%到20%之間,顯著有利于膠液的旋涂及均勻分布,固含量過高或者過低都會對膠液的旋涂及均勻分布不利,而膠液的均勻分布是前烘然后曝光顯影的基礎;
3、本發明加料采用正加料法,即先加芳香二胺再加芳香四二酸酐,有效抑制了芳香四二酸酐在溶劑中的水解,有利于生成聚合度更高的產物,使體系粘度更高;
4、本發明在反應中采用固態懸浮聚合方式加入芳香四二酸酐,減少了芳香四二酸酐與溶劑間的締合作用,從而特性粘度更高,利于生成聚合度更高的產物,也便于統一操作和大規模生產。
附圖說明
圖1是實施例1離子型負性光敏聚酰亞胺合成示意圖。
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