[發(fā)明專利]用于環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增的微流控芯片、其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310503118.1 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN103667011A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈海瀅;蔣興宇;張偉 | 申請(專利權(quán))人: | 國家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號: | C12M1/00 | 分類號: | C12M1/00;C12N15/10 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 100190 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 環(huán)介導(dǎo) 等溫 擴(kuò)增 微流控 芯片 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種用于環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增的微流控芯片,其特征在于,包括基底層和與所述基底層疊置的功能層,所述功能層設(shè)置至少一個微流控結(jié)構(gòu)單元,每個微流控結(jié)構(gòu)單元包括進(jìn)樣口、反應(yīng)區(qū)和連接所述進(jìn)樣口與反應(yīng)區(qū)的微流控管道;
優(yōu)選地,所述進(jìn)樣口的數(shù)量為2個,分別設(shè)置在反應(yīng)區(qū)的兩側(cè),與反應(yīng)區(qū)和微流控管道在一條直線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述反應(yīng)區(qū)為圓柱形反應(yīng)區(qū);
優(yōu)選地,所述微流控管道為直線型微流控管道;
優(yōu)選地,所述進(jìn)樣口開口在功能層遠(yuǎn)離基底層的一側(cè)的表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微流控芯片,其特征在于,所述基底層和/或功能層的材料為石英、玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷;
優(yōu)選地,所述基底層的材料為活化處理的材料;
優(yōu)選地,所述活化處理為等離子體轟擊和/或酸處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述基底層與所述功能層緊密貼合在一起;
優(yōu)選地,所述基底層與所述功能層通過化學(xué)鍵或粘結(jié)劑緊密貼合在一起;
優(yōu)選地,所述化學(xué)鍵是通過等離子體轟擊使硅氧鍵打開形成羥基并在界面發(fā)生縮合反應(yīng)生成的;
優(yōu)選地,所述粘結(jié)劑是環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述功能層是通過機(jī)械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述基底層長50-80mm、優(yōu)選75mm,寬10-30mm、優(yōu)選25mm,厚1-2mm、優(yōu)選1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的微流控芯片,其特征在于,所述直線型微流控管道寬0.1-0.7mm、優(yōu)選0.5mm,深0.1-0.7mm、優(yōu)選0.5mm;
優(yōu)選地,所述圓柱形反應(yīng)區(qū)半徑0.1-1.0mm、優(yōu)選0.5mm,高0.5-3mm、優(yōu)選2mm;
優(yōu)選地,所述進(jìn)樣口底部半徑0.2-0.3mm、優(yōu)選0.25mm,頂部半徑0.6-1.0mm、優(yōu)選0.8mm。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)通過機(jī)械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到功能層;
(2)將所述功能層微流控管道面疊置在基底層上,通過等離子體轟擊形成共價鍵連接或通過粘結(jié)劑緊密貼合在一起,形成所述微流控芯片。
9.一種使用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的微流控芯片進(jìn)行環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(a)將環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增試劑混合均勻后,從微流控芯片的進(jìn)樣口注入,通過微流控管道進(jìn)入反應(yīng)區(qū)內(nèi);
(b)用粘結(jié)劑封住進(jìn)樣口,將所述微流控芯片置于恒溫設(shè)備內(nèi)反應(yīng)設(shè)定時間,然后檢測并分析反應(yīng)區(qū)的濁度或熒光;
優(yōu)選地,所述恒溫設(shè)備內(nèi)溫度為60-68℃;
優(yōu)選地,所述設(shè)定時間為20-80min。
10.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的微流控芯片在環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增中的應(yīng)用。
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