[發明專利]基于存儲在待編程存儲單元中的數據來編碼編程數據

有效

• 申請號: 201310503112.4
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103778961B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 劉永健;孔駿鎮;薛昶圭;孫弘樂;劉炫碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯廣

一種在非易失性存儲器件中編程數據的方法包括：接收將要在非易失性存儲器件的選擇的存儲單元中進行編程的編程數據；從選擇的存儲單元讀取數據；使用根據編程數據與讀取數據的比較從多個編碼方案當中選擇的至少一個編碼方案對編程數據進行編碼；產生包括編碼信息的標志數據；以及在選擇的存儲單元中編程已編碼的編程數據和標志數據。

對相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年10月23日提交的韓國專利申請No.10-2012-0118019的優先權，通過引用將其全部內容合并于此。

技術領域

本發明概念一般涉及半導體存儲器件，并且更具體地，涉及包括非易失性存儲器件和控制器的存儲系統以及用于在非易失性存儲器件中編程數據的方法。

背景技術

根據在斷開電源時是否保留數據，半導體存儲器件可以大致分為兩類。這些類別包括：易失性存儲器件，其在從電源斷開時損失所存儲的數據；以及非易失性存儲器件，其在從電源斷開時保持所存儲的數據。易失性存儲器件的示例包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）、和同步DRAM（SDRAM）。非易失性存儲器件的示例包括只讀存儲器（ROM）、可編程ROM（PROM）、電可編程ROM（EPROM）、電可擦除可編程ROM（EEPROM）、閃速存儲器件、相變RAM（PRAM）、磁RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM）、和鐵電RAM（FRAM）。

對于非易失性存儲器件，存在改善性能特性的不間斷的需求，例如，需要更快的操作速度和更低的功耗。為了滿足該需求，研究人員試圖對器件的物理和操作特性兩方面進行改善。

發明內容

在本發明概念的一個實施例中，一種在非易失性存儲器件中編程數據的方法包括：接收將要在非易失性存儲器件的選擇的存儲單元中進行編程的編程數據；從選擇的存儲單元讀取數據；使用根據編程數據與讀取數據的比較從多個編碼方案當中選擇的至少一個編碼方案對編程數據進行編碼；產生包括編碼信息的標志數據；以及在選擇的存儲單元中編程已編碼的編程數據和標志數據。

在本發明概念的另一實施例中，一種對存儲器進行編程的方法包括：接收將要在存儲器的選擇的存儲單元中編程的編程數據；從選擇的存儲單元讀取數據；將編程數據分割為多個編程數據組，并且將讀取數據分割為多個讀取數據組；使用根據每個編程數據組與相應的讀取數據組之間的比較從多個編碼方案當中選擇的至少一個編碼方案對每個編程數據組進行編程；通過組合已編碼的編程數據組來產生編碼數據；產生包括每個編程數據組的編碼信息的標志數據；以及在選擇的存儲單元中對編碼數據和標志數據進行編程。

在本發明概念的另一實施例中，一種對存儲器進行編程的方法包括：接收將要在選擇的存儲單元中編程的編程數據；從選擇的存儲單元讀取數據；將編程數據選擇作為候選數據；將編程數據與候選數據進行比較；基于所述比較，在候選數據與讀取數據之間的距離小于一參考值的情況下選擇候選數據作為編碼數據，在候選數據與讀取數據之間的距離大于該參考值的情況下經由候選數據的循環移位來產生額外的候選數據，并且根據額外的候選數據的比較來再次執行比較和選擇編碼數據；產生包括關于從編程數據移位的編碼數據的比特數的信息的標志數據；以及在存儲器的存儲單元處編程編碼數據和標志數據。

在本發明概念的另一實施例中，一種存儲系統包括：存儲器；以及被配置為控制存儲器的控制器，其中，該控制器包括：隨機存取存儲器；主機接口，其被配置為接收來自外部設備的編程數據并且將編程數據存儲在隨機存取存儲器中；存儲器接口，其被配置為接收從存儲器讀取的數據并且將讀取數據存儲在隨機存取存儲器中；數據編碼單元，其被配置為基于存儲在隨機存取存儲器中的讀取數據對存儲在隨機存取存儲器中的編程數據進行編碼，并且將編碼數據存儲到隨機存取存儲器中；以及處理器，其被配置為控制存儲器接口以在存儲器中編程隨機存取存儲器的編碼數據。該數據編碼單元被進一步配置為根據讀取數據與編程數據之間的比較來產生編碼數據。