[發明專利]一種新型LED發光二級管

無效

• 申請號: 201310501962.0
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103545433A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 周肇炎
• 申請（專利權）人: 周肇炎
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/62
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種新型LED發光二極管。

背景技術

自從紅色、黃色發光二極管在20世紀90年代的早起出現，和稍后的藍色、綠色和白色發光二極管的研發，這些發光二極管已經在很多高效固態照明技術領域上有廣泛的用途，例如全色彩屏幕顯示器、汽車用燈、背光源、交通信號燈、景觀及日常照明等。

LED發光二級管結構已日趨成熟，但是由于許多原因，LED發光二級管的外量子效率偏低，其中一個重要的原因就是許多有源區發射出來的光，在經過外延層反射時，由于折射率差，發生全反射，使得許多有源區發射出來的光最終無法從外延層中射出，這就降低了LED發光二級管的照射度，而且LED發光二級管的使用壽命也會受到影響。

發明內容

本發明的目的在于針對現有技術的缺陷和不足，提供一種提升照射的亮度，延長產品的使用壽命，降低生產成本，適用于各種需要使用LED發光二極管的場合的新型LED發光二極管

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：

本發明的一種新型LED發光二極管，包括基座，及設置在基座上方的殼體，及設置在基座上左側的正電極，及設置在基座上右側的負電極，及與正電極和負電極相連接的LED發光二級管芯片，及設置在LED發光二級管芯片外側的電流擴展層，及設置在電流擴展層外側的透光層，及設置在透光層外側的表面粗化層，及設置在表面粗化層外側的熒光粉層。

作為優選的技術方案，所述的電流擴展層厚度為200微米，其折射率為0.5-0.6。

作為優選的技術方案，所述的透光層厚度為150微米，其折射率為1.40-1.65，所述的透光層為硅膠材料層。

作為優選的技術方案，所述的表面粗化層厚度為100微米，其折射率為1.0-1.35。

本發明的新型LED發光二級管有益效果是：通過減輕LED發出的光斑黃圈，提高LED發光二級管芯片的折射率，可以有效提升除出光量，提升了照射的亮度，延長產品的使用壽命，降低了生產成本，適用于各種需要使用LED發光二極管的場合。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明的新型LED發光二級管的結構示意圖。

附圖標記說明：

1-基座；2-正電極；3-負電極；4-LED發光二級管芯片；5-電流擴展層；6-透光層；7-表面粗化層；8-熒光粉層；9-殼體。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

如圖1所示，本發明的一種新型LED發光二極管，包括基座1，及設置在基座1上方的殼體9，及設置在基座1上左側的正電極2，及設置在基座1上右側的負電極3，及與正電極2和負電極3相連接的LED發光二級管芯片4，及設置在LED發光二級管芯片4外側的電流擴展層5，及設置在電流擴展層5外側的透光層6，及設置在透光層6外側的表面粗化層7，及設置在表面粗化層7外側的熒光粉層8。

所述的電流擴展層5厚度為200微米，其折射率為0.5-0.6。

所述的透光層6厚度為150微米，其折射率為1.40-1.65，所述的透光層6為硅膠材料層。

所述的表面粗化層7厚度為100微米，其折射率為1.0-1.35。

本發明的新型LED發光二級管的有益效果是：通過減輕LED發出的光斑黃圈，提高LED發光二級管芯片的折射率，可以有效提升除出光量，提升了照射的亮度，延長產品的使用壽命，降低了生產成本，適用于各種需要使用LED發光二極管的場合。

以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何不經過創造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。