[發(fā)明專利]質子輻照時摻雜效率的提高

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310501673.0
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103779194A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設計）人: J.拉文;F.J.尼德諾斯泰德;F.D.普菲爾施;H-J.舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/26
• 分類號: H01L21/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;胡莉莉

1.用于摻雜半導體主體的方法，包括以下步驟：

借助質子輻照所述半導體主體；

借助電子輻照所述半導體主體；

在借助質子的輻照之后并且在借助電子的輻照之后回火所述半導體主體，以便借助擴散在空穴上積聚質子。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述半導體主體具有至少一個包括硅的區(qū)段。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中在結構化所述半導體主體之后借助質子對所述半導體主體進行輻照和/或借助電子對所述半導體主體進行輻照。

4.根據(jù)以上權利要求中任一項所述的方法，其中所述半導體主體是具有至少一個p摻雜的區(qū)域的結構化的半導體晶片。

5.根據(jù)以上權利要求中任一項所述的方法，其中在約350攝氏度至550攝氏度的范圍內的溫度的情況下實施所述半導體主體的回火。

6.根據(jù)以上權利要求中任一項所述的方法，其中在小于10小時的時間間隔內進行回火。

7.根據(jù)以上權利要求中任一項所述的方法，其中所述借助電子的輻照以下面的能量進行：在該能量的情況下電子在所述半導體主體中的最大穿透深度比所述半導體主體的厚度更大。

8.根據(jù)以上權利要求中任一項所述的方法，其中借助質子對所述半導體主體的輻照以下面的能量進行：在該能量的情況下質子在所述半導體主體中的最大穿透深度比所述半導體主體的厚度更小。

9.根據(jù)權利要求中8所述的方法，其中所述借助電子的輻照以下面的能量進行：在該能量的情況下電子在所述半導體主體中的最大穿透深度比質子在所述半導體主體中的最大穿透深度更大。

10.具有第一側和第二側的半導體器件，所述半導體器件在從所述第一側至所述第二側的方向上具有至少一個具有摻雜濃度分布的n摻雜的區(qū)段，所述區(qū)段具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有基本上恒定的第一摻雜濃度，所述第二區(qū)域具有基本上恒定的第二摻雜濃度，其中在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述摻雜濃度分布具有最大值。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中所述基本上恒定的第一摻雜濃度是約3x10¹³?cm^-3?或更大。

12.根據(jù)權利要求10或11所述的半導體器件，其中所述基本上恒定的第二摻雜濃度比所述基本上恒定的第一摻雜濃度更小。

13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件，其中基本上恒定的第二載流子濃度是基本上恒定的第一載流子濃度的50%或更多。

14.根據(jù)權利要求10至13中任一項所述的半導體器件，此外包括至少一個p摻雜區(qū)域，所述至少一個p摻雜區(qū)域與具有所述基本上恒定的第一摻雜濃度的第一區(qū)域緊鄰地布置。

15.根據(jù)權利要求10至14中任一項所述的半導體器件，此外包括至少一個p摻雜區(qū)域，所述至少一個p摻雜區(qū)域與具有所述基本上恒定的第一摻雜濃度的第二區(qū)域緊鄰地布置。

16.根據(jù)權利要求10至15中任一項所述的半導體器件，其中至少所述半導體主體包括硅。