[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310501563.4
• 申請(qǐng)日: 2013-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN103779340A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 団野忠敏;波多俊幸;町田勇一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/50
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 馮玉清

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一半導(dǎo)體芯片，具有包括在其上形成的第一電極墊和第二電極墊的第一前表面以及布置在所述第一前表面的相反側(cè)并且包括在其上形成的第三電極的第一背表面，所述第一半導(dǎo)體芯片包括與所述第一和第二電極墊以及所述第三電極電耦合的晶體管元件；

第二半導(dǎo)體芯片，具有包括在其上形成的第四電極墊的第二前表面以及布置在所述第二前表面的相反側(cè)并且包括在其上形成的第五電極的第二背表面，所述第二半導(dǎo)體芯片包括與所述第四電極墊和第五電極電耦合的二極管元件；

第一金屬板，具有包括安裝在其上的所述第一半導(dǎo)體芯片并且與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第三電極電耦合的第一芯片安裝部分；

第二金屬板，具有包括安裝在其上的所述第二半導(dǎo)體芯片并且與所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第五電極電耦合的第二芯片安裝部分；

引線組，包括與所述第一半導(dǎo)體芯片電耦合的引線和與所述第二半導(dǎo)體芯片電耦合的引線；以及

密封體，用于密封所述第一和第二半導(dǎo)體芯片以及多個(gè)引線的相應(yīng)部分，

其中，所述第一和第二金屬板彼此電隔離并且沿第一方向彼此相鄰地布置，

其中，所述引線組布置為沿與所述第一方向正交的第二方向面向所述第一金屬板和所述第二金屬板，相應(yīng)的引線沿所述第一方向布置，且

其中，在平面視圖中，所述第一金屬板的包括所述第一芯片安裝部分的部分沿所述第一方向的寬度大于所述第二金屬板的包括所述第二芯片安裝部分的部分沿所述第一方向的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一金屬板的包括所述第一芯片安裝部分的所述部分沿所述第一方向并且沿所述第一金屬板的厚度方向的每一截面積大于所述第二金屬板的包括所述第二芯片安裝部分的所述部分沿所述第一方向并且沿所述第二金屬板的厚度方向的每一截面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一金屬板具有包括所述第一芯片安裝部分的第一頂表面，

其中，所述第二金屬板具有包括所述第二芯片安裝部分的第二頂表面，且

其中，所述第一金屬板的所述第一頂表面的面積大于所述第二金屬板的所述第二頂表面的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一金屬板的體積大于所述第二金屬板的體積。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述引線組包括與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一電極墊電耦合的第一引線、與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第二電極墊電耦合的第二引線、以及與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第三電極以及所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第四電極墊電耦合的第三引線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述引線沿與所述第一方向正交的所述第二方向從所述密封體突出。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一引線通過第一金屬導(dǎo)體與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一電極墊電耦合，

其中，所述第二引線通過第二金屬導(dǎo)體與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第二電極墊電耦合，且

其中，所述第三引線與所述第一金屬板一體形成且通過第三金屬導(dǎo)體與所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第四電極墊電耦合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一和第三金屬導(dǎo)體每個(gè)的導(dǎo)電路徑的截面積大于所述第二金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電路徑的截面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，

其中，在平面視圖中，所述第一電極墊沿所述第二方向的中心位置比所述第二電極墊的中心位置更接近于所述引線組。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括絕緣柵極雙極晶體管元件，

其中，所述第一電極墊與所述絕緣柵極雙極晶體管元件的發(fā)射電極電耦合，

其中，所述第二電極墊與所述絕緣柵極雙極晶體管元件的柵電極電耦合，

其中，所述第三電極是所述絕緣柵極雙極晶體管元件的柵電極，

其中，所述第四電極墊與所述二極管元件的陽極電極電耦合，且

其中，所述第五電極是所述二極管元件的陰極電極。