[發明專利]用于發火的半導體橋無效
| 申請號： | 201310501414.8 | 申請日： | 2013-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN103499245A | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發明（設計）人： | 黃友華 | 申請（專利權）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分類號： | F42B3/13 | 分類號： | F42B3/13 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 發火 半導體 | ||
【權利要求書】：
1.用于發火的半導體橋，其特征在于：它包括襯底（1）、沉積在襯底（1）上的絕緣層（2）、沉積在絕緣層（2）上的半導體層（3）和沉積在半導體層（3）上的金屬層（4），所述的金屬層（4）上沉積有第一電極（5）和第二電極（6），所述的金屬層（4）上還沉積有發火物質（7）。
2.根據權利要求1所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的半導體層（3）為硅。
3.根據權利要求1所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的第一電極（5）和第二電極（6）為銅或者鋁。
4.根據權利要求1所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的發火物質（7）為金屬氧化物。
5.根據權利要求4所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的發火物質（7）為氧化銅或氧化鐵。
6.根據權利要求1所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的半導體層（3）的厚度大于0.5毫米且小于1毫米。
7.根據權利要求6所述的用于發火的半導體橋，其特征在于：所述的金屬層（4）的厚度大于半導體層（3）的厚度。
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