[發(fā)明專利]一種薄膜諧振器的制作方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310501329.1 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN104579233B | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張浩;杜良楨;龐慰;程微;江源;孫海龍 | 申請(專利權(quán))人: | 中興通訊股份有限公司;天津大學(xué) |
| 主分類號: | H03H9/54 | 分類號: | H03H9/54;H03H3/02 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 薛祥輝 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 諧振器 制作方法 裝置 | ||
1.一種薄膜諧振器的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
檢測已經(jīng)淀積的各膜層的厚度;
當檢測到的膜層厚度不在標準厚度范圍內(nèi)時,判斷質(zhì)量加載層是否已經(jīng)淀積,若否,則選取未淀積的膜層進行厚度補償,根據(jù)補償后的膜層厚度和目標頻率偏移計算出產(chǎn)生所述目標頻率偏移所需的質(zhì)量加載層的厚度;所述標準厚度范圍由所述諧振器的目標頻率以及工藝生產(chǎn)能力決定;
按照補償后的未淀積的膜層厚度以及重新計算出的質(zhì)量加載層的厚度進行后續(xù)的薄膜淀積。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:當所述質(zhì)量加載層已經(jīng)淀積時,在保證所述諧振器基礎(chǔ)頻率不變的情況下,選取不同的未淀積的膜層進行厚度補償,確定對頻率偏移影響最少的膜層厚度補償,按照確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述選取不同的未淀積的膜層進行厚度補償,確定對頻率偏移影響最少的膜層厚度補償?shù)牟襟E包括:
仿真對各個未淀積的膜層進行厚度補償;
計算出各個未淀積的膜層經(jīng)過厚度補償后對應(yīng)的頻率偏移;
將各個未淀積的膜層經(jīng)過補償后對應(yīng)的頻率偏移與目標頻率偏移進行比較,確定與目標頻率偏移偏差最小的膜層厚度補償。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,在確定對頻率偏移影響最少的膜層厚度補償之后,所述按照確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積之前還包括:
對確定的膜層厚度補償進行評估,當評估結(jié)果滿足預(yù)設(shè)條件時,按照所述確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述對確定的膜層厚度補償進行評估,當評估結(jié)果滿足制作要求時,按照所述確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積的步驟包括:
評估與目標頻率偏移的最小偏差是否對濾波器的性能產(chǎn)生明顯的影響,若否,滿足預(yù)設(shè)條件,按照所述確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積;
所述濾波器由至少兩個所述諧振器組成。
6.一種薄膜諧振器的制作裝置,其特征在于,包括:檢測模塊、判斷模塊、處理模塊以及薄膜淀積模塊;
所述檢測模塊用于檢測已經(jīng)淀積的各膜層的厚度;
所述判斷模塊用于當檢測到的膜層厚度不在標準厚度范圍內(nèi)時,判斷質(zhì)量加載層是否已經(jīng)淀積;
所述處理模塊用于在所述判斷模塊判斷為否的情況下,選取未淀積的膜層進行厚度補償,根據(jù)補償后的膜層厚度和目標頻率偏移計算出產(chǎn)生所述目標頻率偏移所需的質(zhì)量加載層的厚度;所述標準厚度范圍由所述諧振器的目標頻率以及工藝生產(chǎn)能力決定;
所述薄膜淀積模塊用于按照補償后的未淀積的膜層厚度以及重新計算出的質(zhì)量加載層的厚度進行后續(xù)的薄膜淀積。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,所述處理模塊還用于在判斷模塊判斷為是時,在保證所述諧振器基礎(chǔ)頻率不變的情況下,選取不同的未淀積的膜層進行厚度補償,確定對頻率偏移影響最少的膜層厚度補償;
所述薄膜淀積模塊還用于按照確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述處理模塊用于仿真對各個未淀積的膜層進行厚度補償,計算出各個未淀積的膜層經(jīng)過厚度補償后對應(yīng)的頻率偏移,將各個未淀積的膜層經(jīng)過補償后對應(yīng)的頻率偏移與目標頻率偏移進行比較,確定與目標頻率偏移偏差最小的膜層厚度補償。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,還包括:評估模塊;
所述評估模塊用于在確定對頻率偏移影響最少的膜層厚度補償之后,所述按照確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積之前對確定的膜層厚度補償進行評估,當評估結(jié)果滿足預(yù)設(shè)條件時,通知所述薄膜淀積模塊按照所述確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于,所述評估模塊用于評估與目標頻率偏移的最小偏差是否對濾波器的性能產(chǎn)生明顯的影響,若否,滿足預(yù)設(shè)條件,通知所述薄膜淀積模塊按照所述確定的膜層厚度補償進行后續(xù)的薄膜淀積;所述濾波器由至少兩個所述諧振器組成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中興通訊股份有限公司;天津大學(xué),未經(jīng)中興通訊股份有限公司;天津大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310501329.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





