[發(fā)明專利]一種n型外延襯底激光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310500560.9
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103594929A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 叢國芳
• 申請（專利權(quán)）人: 溧陽市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種n型外延襯底激光二極管，其特征在于：包括藍寶石襯底，在藍寶石襯底上具有n-GaN外延襯底，在n-GaN外延襯底上具有發(fā)光結(jié)構(gòu);

其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于n型外延襯底的中部區(qū)域，該發(fā)光結(jié)構(gòu)由下至上依次具有n型界面層、發(fā)光層、p型界面層、p型注入層以及p電極；n-GaN外延襯底的外圍區(qū)域上具有n電極;

其中，所述p型注入層為空穴注入層;

所述n電極環(huán)繞所述發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述n電極的厚度不大于n型界面層的厚度，并且n電極與n型界面層之間具有空隙。

2.如權(quán)利要求1所述的n型外延襯底激光二極管，其特征在于：

其中，n型界面層是n-Al_xIn_yGa_1-x-yN，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1；

其中，發(fā)光層是超晶格結(jié)構(gòu)的多量子阱層，該多量子阱層的材料為ZnO/Zn_1-aMg_aO/Zn_1-bAs_bO，0＜a≤0.2、0＜b≤0.3；

其中，p型界面層為p-Al_xIn_yGa_1-x-yP，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1；

其中，p型注入層為p型NiO注入層；

其中，p電極為Au、Pt、Pt/Ni、Au/Ni或ITO（氧化銦錫）；n電極為In、Al、Ga、Ag或ITO。

3.如權(quán)利要求2所述的n型外延襯底激光二極管，其特征在于：

優(yōu)選地，0＜x≤0.45，0＜y≤0.55；0＜a≤0.1、0＜b≤0.15。