[發明專利]一種高開口光配向像素結構

有效

• 申請號: 201310500085.5
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103543563A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 馬群剛;周劉飛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 夏平

技術領域

本發明涉及平板顯示器制造領域，具體的是一種高開口光配向像素結構。

背景技術

VA面板是現在高端液晶應用較多的面板類型，屬于廣視角面板。和TN面板相比，8bit的面板可以提供16.7M色彩和大可視角度是該類面板定位高端的資本，但是價格也相對TN面板要昂貴一些。VA類面板的正面（正視）對比度最高，但是屏幕的均勻度不夠好，往往會發生顏色漂移。

公知的，UV2A技術較之其他?VA（MVA、PVA、PSVA）廣視角技術而言，有高透過率、高對比度及快速響應等優勢，且較IPS、FFS廣視角技術具有高對比度的優點。例如，白態下，MVA需要設置有凸起和溝槽結構，用于形成多疇，因此不可避免地被溝槽和突起占掉一些開口率；而UV2A是由不同方向的紫外光照射使液晶在配向膜上形成多疇配向，無需溝槽和突起，因此開口率比MVA的面板提高20%以上。黑態下，MVA在相對于凸起結構的位置上有漏光，其原因是因為液晶分子在凸起結構的位置為傾斜站立，形成雙折射效應造成漏光；而UV2A因為不需要凸起結構來控制液晶的倒向，故不會有漏光，實現了“深黑”顯示。所以UV2A的對比度可較MVA由原本的3000：1提升至6000：1以上；另外UV2A技術實現了所有液晶分子全面均一的限制力，實現了高速反應，響應時間僅為MVA的一半。綜上所述，UV2A較之MVA更進一步地提升了LCD-TV的影像品質。

然而，隨著面板解析度的要求越來越高，在現有UV2A技術上，如何再進一步提高穿透率，成為面板設計者不斷努力的課題。

發明內容

本發明的目的是針對現有UV2A顯示技術中面板解析度不高問題，提供一種進一步提高穿透率的高開口光配向像素結構。

技術方案思路：

液晶面板像素各疇（Domain）之間透光面積不均導致的灰階效果差的現狀，通過對液晶面板的像素電極和黑色矩陣形狀進行調整，提供一種各個Domain內的透光面積趨于平均，具有更好的傾斜視角的灰階補償的液晶面板。

本發明的技術方案：

一種高開口光配向像素結構，基于UV2A模式的像素結構，包括呈行列排列的多個子像素、在列方向設置的數據線、在行方向設置的掃描線、公共電極、像素電極、絕緣層、以及TFT開關，每個子像素上對應一個TFT開關、一條數據線和一條掃描線；所述每個子像素對應的TFT開關的柵極連接至對應的掃描線，源極連接至對應的數據線，漏極連接至子像素的像素電極。所述每個子像素對應的數據線布置在該子像素的中間；每個子像素對應三個長條形的公共電極，其中兩個在列方向上跨越子像素并設置在該子像素的邊緣，第三個在行方向上位于該子像素的中間位置，每個子像素的公共電極整體呈現H字型。

所述每個子像素右側的公共電極位置形成儲存電容。

所述子像素儲存電容處的剖面結構從下至上依次為：公共電極、第一絕緣層、漏極引出結構、第二絕緣層、有機絕緣層、像素電極，漏極引出結構覆蓋公共電極并和公共電極形成儲存電容。

所述第二絕緣層在靠近公共電極位置的左側處開有一個接觸孔，漏極引出結構在接觸孔對應位置延伸并覆蓋接觸孔，所述像素電極在對應接觸孔處下凹并與漏極引出結構電連接。

所述接觸孔結構的中心對應疇邊界的中心。

每個子像素對應的公共電極還可以只是一個長條形的公共電極，它們在列方向上跨越子像素并分別設置在該子像素邊緣；TFT開關的漏極包括一個通孔結構，漏極在該通孔處通過透明導電薄膜與像素電極電連接。

所述每個子像素右側的公共電極位置形成儲存電容。

所述子像素儲存電容處的剖面結構從下至上依次為：第一金屬層、第一絕緣層、公共電極、第二絕緣層、有機絕緣層、像素電極，第一金屬層和公共電極形成儲存電容。公共電極設置于第一金屬層的上方，達到了更好的屏蔽效果。

所述第二絕緣層在靠近公共電極位置的左側處開有一個接觸孔，第一金屬層在接觸孔對應位置延伸并覆蓋接觸孔，所述像素電極在對應接觸孔處下凹并與第一金屬層電連接。

所述接觸孔結構的中心對應疇邊界的中心。

作為另一種方式，所述第二絕緣層在靠近公共電極位置的右側處開有一個接觸孔，第一金屬層在接觸孔對應位置延伸并覆蓋接觸孔，所述像素電極在對應接觸孔處下凹并與第一金屬層電連接。

所述接觸孔結構的中心對應疇邊界的中心。