[發(fā)明專(zhuān)利]提高發(fā)光效率的LED芯片結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310499242.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103531682A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩(shī) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/10 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 無(wú)錫市大為專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江蘇省無(wú)錫*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 發(fā)光 效率 led 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種提高發(fā)光效率的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底（1），襯底（1）上設(shè)置N型氮化鎵層（2），其特征是：在所述N型氮化鎵層（2）上表面設(shè)置量子阱（3），在量子阱（3）上表面設(shè)置P型氮化鎵層（4），在P型氮化鎵層（4）上表面設(shè)置第一金屬膜（5-1），在第一金屬膜（5-1）上表面設(shè)置P電極（6），在P型氮化鎵層（4）上表面設(shè)置氧化銦錫薄膜（8），該氧化銦錫薄膜（8）覆蓋P型氮化鎵層（4）和第一金屬膜（5-1）；在所述N型氮化鎵層（2）上表面具有刻蝕形成的刻蝕區(qū)域，在刻蝕區(qū)域設(shè)置N電極（7），N電極（7）的底部設(shè)置第二金屬膜（5-2），N電極（7）與N型氮化鎵層（2）歐姆接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的提高發(fā)光效率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述第一金屬膜（5-1）與P型氮化鎵層（4）之間非歐姆接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的提高發(fā)光效率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述第一金屬膜（5-1）和第二金屬膜（5-2）為鉑、銠或鋁。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
