[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310499177.6
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103779273B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)家一馬
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,金玲

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及將在表面由呈格子狀形成的分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域形成有器件的晶片沿分割預(yù)定線分割為各個器件的晶片加工方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造步驟中，沿著呈格子狀排列的分割預(yù)定線在呈大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表面劃分出多個區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域形成IC、LSI等器件。然后沿著分割預(yù)定線切斷半導(dǎo)體晶片，從而對形成有器件的區(qū)域進行分割，制造出各個器件。另外，通過沿著分割預(yù)定線切斷在藍寶石基板或碳化硅基板的表面層疊了氮化鎵類化合物半導(dǎo)體等的光器件晶片，從而將其分割為各個發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，可廣泛用于電氣設(shè)備。

作為上述沿著分割預(yù)定線分割晶片的方法，可嘗試如下的激光加工方法，即，使用相對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，將聚光點對齊到應(yīng)分割的區(qū)域的內(nèi)部，照射脈沖激光光線。使用該激光加工方法的分割方法是如下的技術(shù)：以使得聚光點位于晶片內(nèi)部的方式沿著分割預(yù)定線從晶片的一個表面?zhèn)葘⒕酃恻c對齊到內(nèi)部而照射相對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在晶片內(nèi)部沿著分割預(yù)定線連續(xù)形成改質(zhì)層，沿著憑借形成該改質(zhì)層而強度降低的分割預(yù)定線施加外力，從而將晶片分割為各個器件(例如參照專利文獻1)。

另外，還提出了如下方法：將保護部件貼合于晶片的表面，以使聚光點位于晶片內(nèi)部的方式沿著分割預(yù)定線從晶片背面?zhèn)日丈湎鄬τ诰哂型高^性的波長的脈沖激光光線，在晶片內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成了改質(zhì)層之后，通過磨削裝置的保持單元保持晶片的保護部件側(cè)，在旋轉(zhuǎn)磨削砂輪的同時按壓晶片背面來進行磨削，將晶片形成為規(guī)定厚度，并且沿著形成了改質(zhì)層而強度降低的分割預(yù)定線進行分割(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本專利第3408805號公報

專利文獻2：日本專利第3762409號公報

上述專利文獻2所述的晶片的分割方法具有不需要對內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成有改質(zhì)層的晶片賦予外力而將晶片分割為各個器件的個別的分割步驟的優(yōu)點，然而由于在磨削過程中晶片被分割為各個器件，因而存在相鄰器件的角彼此摩擦而導(dǎo)致器件損傷的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是鑒于上述實際情況而完成的，其主要技術(shù)課題在于，提供一種晶片的加工方法，該方法以使得聚光點位于晶片內(nèi)部的方式沿著分割預(yù)定線照射相對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在晶片內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成了改質(zhì)層后，在對晶片背面進行磨削以將晶片形成為精加工厚度并分割為各個器件時，不會由于相鄰器件的角相互摩擦而損傷器件。

為了解決上述主要課題，本發(fā)明提供一種晶片的分割方法，沿著在晶片的表面呈格子狀形成的分割預(yù)定線對晶片進行分割，該晶片在由分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域形成有器件，該方法的特征在于，包括：改質(zhì)層形成步驟，以將聚光點對齊到內(nèi)部的方式沿著分割預(yù)定線照射相對于晶片具有透過性的波長的激光光線，在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成作為斷裂起點的改質(zhì)層；以及背面磨削步驟，對晶片的背面進行磨削而將晶片形成為規(guī)定厚度，并且沿著形成改質(zhì)層而強度降低的分割預(yù)定線而分割為各個器件，至少在實施該背面磨削步驟之前，實施保護部件貼合步驟，在該保護部件貼合步驟中，將被冷卻至比實施該背面磨削步驟時的溫度低的溫度的保護部件貼合于晶片的表面，在實施該背面磨削步驟時，該保護部件由于溫度上升而發(fā)生熱膨脹，從而在所分割的器件與器件之間形成間隙，抑制相鄰器件的接觸。

在本發(fā)明的晶片的分割方法中，包括以將聚光點對齊到晶片內(nèi)部的方式照射相對于晶片具有透過性的波長的激光光線，在晶片的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線形成作為斷裂起點的改質(zhì)層的改質(zhì)層形成步驟以及對晶片背面進行磨削而將晶片形成為規(guī)定厚度且沿著形成有改質(zhì)層而強度降低的分割預(yù)定線而分割為各個器件的背面磨削步驟，至少在實施背面磨削步驟之前，實施將被冷卻至比實施背面磨削步驟時的溫度低的溫度的保護部件貼合于晶片的表面的保護部件貼合步驟，在實施背面磨削步驟時，該保護部件由于溫度上升而發(fā)生熱膨脹，從而在所分割的器件與器件之間形成間隙，抑制相鄰器件的接觸，因此器件的角彼此不會相互摩擦，因而能夠消除器件的角彼此摩擦導(dǎo)致的器件損傷。

附圖說明

圖1是作為通過本發(fā)明的晶片加工方法分割的晶片的半導(dǎo)體晶片的立體圖。

圖2是用于實施本發(fā)明的晶片加工方法的改質(zhì)層形成步驟的激光加工裝置的主要部分立體圖。

圖3是本發(fā)明的晶片加工方法的改質(zhì)層形成步驟的說明圖。

圖4是表示本發(fā)明的晶片加工方法的保護部件貼合步驟的說明圖。