[發明專利]離子注入裝置

有效

• 申請號: 201310498939.0
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103854942B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 椛澤光昭;渡邊一浩;安藤一志;稻田耕二;山田達也
• 申請（專利權）人: 斯伊恩股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 胡建新,樸勇

1.一種離子注入裝置，其具備對由離子源生成的離子束進行加速的多個單元、及對掃描束進行調整而注入到晶片中的多個單元，該離子注入裝置的特征在于，

通過將對掃描束進行調整的多個單元構成為與對離子源及離子束進行加速的多個單元相同長度的長直線部，構成具有相對置的長直線部的水平U字狀的折回型射束線，

所述離子注入裝置設為如下布局：將能夠對所述多個單元進行作業的作業空間設置于具有相對置的長直線部的U字狀的折回型射束線的中央區域，并將該中央區域作為維護區域而具備，

所述多個單元包括高能量多段直線加速部和射束傳輸線部，

所述高能量多段直線加速部和所述射束傳輸線部配置為，隔著所述U字狀的折回型射束線的所述作業空間相對置。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述多個單元包括：

離子束產生單元，其設置于射束線的上游側且產生離子束；

基板處理供給單元，其設置于射束線的下游側且供給注入離子的基板并對其進行處理；及

偏轉單元，其設置于從所述離子束產生單元朝向所述基板處理供給單元的射束線中途，且偏轉離子束的軌道，

將所述離子束產生單元和所述基板處理供給單元配置于射束線整體的一側，

將所述偏轉單元配置于射束線整體的另一側。

3.根據權利要求2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子束產生單元包括離子源、提取電極及質譜分析裝置，

所述偏轉單元包括能量過濾分析儀，

所述射束傳輸線部包括射束整形器、射束掃描器、射束平行化器及最終能量過濾分析儀，

對在所述離子束產生單元生成的離子束，利用所述高能量多段直線加速部進行加速，并且通過所述偏轉單元進行方向轉換，并照射到在所述射束傳輸線部的末端所設置的所述基板處理供給單元中的基板上。

4.根據權利要求2或3所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述偏轉單元包括能量過濾磁鐵、軌道調整透鏡、能量狹縫及角度偏轉磁鐵。

5.根據權利要求4所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述能量過濾磁鐵和所述角度偏轉磁鐵構成為，合計的偏轉角度成為180度。

6.根據權利要求4所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述能量過濾磁鐵和所述角度偏轉磁鐵分別構成為，偏轉角度成為90度。

7.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

具有通過使用靜電偏轉式平行化透鏡裝置而得到的掃描束的平行化布局。

8.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

能夠使操作人員在所述作業空間與外部之間移動的連通路設置在所述U字狀的折回型射束線的入口部。

9.一種離子注入裝置，其特征在于，

由第1部分、第2部分及第3部分構成高能量離子注入射束線，其中，所述第1部分具有由離子束產生單元和高能量多段直線加速部形成的長的軌道；所述第2部分用于通過包括能量過濾分析儀的偏轉單元進行方向轉換；所述第3部分具有由包括射束整形裝置、掃描裝置、靜電平行化透鏡裝置及最終能量過濾器的射束傳輸線部形成的長的軌道，

通過相對置地配置所述第1部分與所述第3部分，構成實現高能量高精度注入的具有相對置的長直線部的U字狀的裝置布局。