[發(fā)明專利]一種制造半導體芯片的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310498819.0
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103606602A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉(zhuǎn)移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種制造半導體芯片的方法，依次包括如下步驟：

（1）用光刻和ICP刻蝕技術將已經(jīng)生長好發(fā)光二極管結構外延片刻蝕出AlInN層側(cè)壁；

（2）將外延層結構粘合到玻璃襯底上，用二乙醇胺（DAE）腐蝕掉AllnN層，形成外延層和藍寶石襯底的分離；

（3）在藍寶石襯底分離后，采用光刻工藝在發(fā)光二極管外延層上圖形化；

（4）采用電鍍工藝在發(fā)光二極管外延層上已圖形化的區(qū)域電鍍銅，從而形成銅金屬襯底。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，所述在步驟（1）中的發(fā)光二極管結構為：自下而上依次具有藍寶石襯底、GaN緩沖層、AlInN層、n-GaN層、多量子阱層、p-AGaN層、p-GaN層，其中，GaN緩沖層的厚度為30-45nm，AlInN層的厚度為80-150nm，n-GaN層的厚度為3-5μm，多量子阱層厚度為30-80nm，p-AGaN層40-60nm，p-GaN層200-300nm；

其中，步驟（2）中，利用環(huán)氧樹脂膠將發(fā)光二極管外延結構粘到玻璃襯底上；

其中，步驟（4）中，將外延片置于CuSO₄溶液中進行電鍍，形成發(fā)光二極管結構的銅襯底轉(zhuǎn)移，具體工藝為：將發(fā)光二極管結構置于電鍍級CuSO₄溶液中，通電1小時后在發(fā)光二極管外延層的原藍寶石襯底表面電鍍上一層厚度均勻銅襯底，厚度約為120-150微米，優(yōu)選為130微米。