[發明專利]離子注入裝置及離子注入方法

有效

• 申請號: 201310498683.3
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103811255B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 月原光國;椛澤光昭
• 申請（專利權）人: 斯伊恩股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/30;H01L21/265
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種離子注入裝置，其特征在于，具備：

離子源，生成離子并作為離子束引出；

注入處理室，用于向被處理物注入所述離子；

射束線裝置，提供用于從所述離子源向所述注入處理室輸送所述離子束的射束線；及

控制部，具備包括第1注入設定結構及第2注入設定結構的多個注入設定結構，并根據注入條件選擇多個注入設定結構中的任一個結構，在所選擇的注入設定結構下控制離子注入裝置，其中，第1注入設定結構適合輸送用于向所述被處理物進行高劑量注入的低能量/高電流射束，第2注入設定結構適合輸送用于向所述被處理物進行低劑量注入的高能量/低電流射束，所述射束線裝置具備掃描所述離子束的離子束掃描裝置，以供給在所述注入處理室具有超過所述被處理物的寬度的射束照射區域的所述離子束，

所述注入處理室具備機械式掃描裝置，該機械式掃描裝置對所述射束照射區域機械式地掃描所述被處理物，

所述射束線裝置構成為，在所述第1注入設定結構及所述第2注入設定結構中，所述射束線中的成為基準的射束中心軌道從所述離子源到所述注入處理室相同，

所述第1注入設定結構包括決定以下控制的組合的設定，包括在與所述射束中心軌道垂直的射束掃描方向上掃描所述離子束的所述射束掃描裝置的控制和在與所述射束中心軌道以及所述射束掃描方向垂直的機械掃描方向上機械式地掃描所述被處理物的所述機械式掃描裝置的控制，

所述第2注入設定結構包括決定以下控制的組合的設定，包括在所述射束掃描方向上掃描所述離子束的所述射束掃描裝置的控制和在所述機械掃描方向上機械式地掃描所述被處理物的所述機械式掃描裝置的控制。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束線裝置在所述第1注入設定結構和所述第2注入設定結構下采用相同的注入方式。

3.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束照射區域在所述第1注入設定結構和所述第2注入設定結構下相同。

4.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束線裝置具備調整所述離子束的射束調整裝置和對所述離子束進行整形的射束整形裝置，

所述射束線裝置在所述第1注入設定結構和所述第2注入設定結構下，以相同的布局配置所述射束調整裝置及所述射束整形裝置。

5.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子注入裝置在所述第1注入設定結構和所述第2注入設定結構下具有相同的設置占地面積。

6.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束線裝置具備用于調整所述離子束的射束電流的總量的射束電流調整系統，

所述第1注入設定結構包含用于所述射束電流調整系統的第1射束電流設定，所述第2注入設定結構包含用于所述射束電流調整系統的第2射束電流設定，并且被定為所述第2射束電流設定下的所述離子束的射束電流小于所述第1射束電流設定下的所述離子束的射束電流。

7.根據權利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束電流調整系統構成為通過有關調整要件時，切斷所述離子束的至少一部分。

8.根據權利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束電流調整系統具備配設在所述射束線上的寬度可變孔徑。

9.根據權利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述射束電流調整系統具備射束線末端開口寬度可變狹縫裝置。

10.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子源構成為調整所述離子束的射束電流的總量。

11.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子源具備用于引出所述離子束的引出電極，通過調整所述引出電極的開口來調整所述離子束的射束電流的總量。