[發明專利]一種用于金屬阻擋層的刻蝕溶液及方法有效
| 申請號： | 201310498507.X | 申請日： | 2013-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN103540322A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 李桂花;朱熙;仝金雨;李德勇 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/08 | 分類號： | C09K13/08;C23F1/16;C23F1/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 金屬 阻擋 刻蝕 溶液 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于金屬阻擋層的刻蝕溶液，其特征在于：所述刻蝕溶液由硝酸、氫氟酸和水配制而成，所述硝酸、氫氟酸和水的體積比為硝酸：氫氟酸：水＝0.5～1.5：1：0.5～2，所述硝酸的質量濃度為65%～70%，所述氫氟酸的質量濃度為45%～49%。
2.根據權利要求1所述的刻蝕溶液，其特征在于：所述硝酸、氫氟酸和水的體積比為硝酸：氫氟酸：水=7:5:5或1:1：0.7。
3.根據權利要求1或2所述的刻蝕溶液，其特征在于：所述水為去離子水、蒸餾水或超純水。
4.根據權利要求1或2所述的刻蝕溶液，其特征在于：所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦或氮化鈦的任意一種或多種。
5.一種薄膜剝離方法，包括以下步驟：
步驟1，采用化學刻蝕方法刻蝕晶圓最上層的金屬導線層至露出晶圓的金屬阻擋層；
步驟2，在室溫下，將晶圓的金屬阻擋層浸入權利要求1至4任一所述的刻蝕溶液中進行反應，直到所述金屬阻擋層被完全刻蝕至露出下層氧化層；
步驟3，采用機械研磨方法去除所述氧化層，得到均勻的下層金屬層。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦或氮化鈦的任意一種或多種。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述金屬阻擋層的刻蝕時間為5～30s。
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