[發明專利]一種發光二極管芯片制作方法

有效

• 申請號: 201310497918.7
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103500783A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 鄭建森;林素慧;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：至少包括如下步驟：

1）在藍寶石襯底上形成掩膜層，其至少包括若干個第一尺寸圖案，使得后續生長的外延層無法愈合連接在一起；

2）在制作完掩膜層的藍寶石襯底上形成外延層，其在外延層的內側表面形成若干個上寬下窄的倒臺狀洞穴，所述洞穴在垂直方向上貫穿整個外延層，減少發光二極管內部發生全反射現象。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸圖案的線徑為10~30μm，間距為5~20μm。

3.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述步驟1）形成的掩膜層還包括若干個第二尺寸圖案，用于將所述藍寶石襯底定義出若干個單元區域，所述第一尺寸圖案位于各個單元區域內，從而在步驟2）中各單元區域內的外延層外側表面形成呈上窄下寬的臺狀結構，減少發光二極管內部發生全反射現象。

4.根據權利要求3所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述第二尺寸圖案為閉合環狀，環寬為15~40μm。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述步驟1）形成的掩膜層還包括若干個第三尺寸圖案，從而在步驟2）中在所述第三尺寸圖案上進行橫向外延生長的同時，增強光在外延層和藍寶石襯底界面散射。

6.根據權利要求5所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述第三尺寸圖案的線徑為0.1~5μm，間距為0.2~5μm。

7.根據權利要求5所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸圖案、第三尺寸圖案呈周期性分布，形狀為圓形或者橢圓形或者多邊形中的一種或前述任意組合之一。

8.根據權利要求5所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：所述第一尺寸圖案與第三尺寸圖案的個數比例為1:50~1:10。

9.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：還包括在步驟1）后，對藍寶石襯底進行蝕刻，使得未被掩膜層保護的藍寶石襯底被蝕刻，從而形成圖形化藍寶石襯底。

10.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片制作方法，其特征在于：還包括在步驟2）后，采用蝕刻工藝去除裸露出來的掩膜層。