[發明專利]一種高出光效率的垂直型發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201310497448.4
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103594567A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種高出光效率的垂直型發光二極管的制造方法，依次包括如下步驟：

（1）形成底電極；

（2）在底電極上形成底粗化層；

（3）在底粗化層上形成底透明導電層；

（4）在底透明導電層上形成p型半導體層；

（5）在p型半導體層上形成半導體發光層；

（6）在半導體發光層上形成n型半導體層；

（7）在n型半導體層上形成頂透明導電層；

（8）在頂透明導電層上形成頂粗化層；

（9）在頂粗化層上形成頂電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

底透明電極層和頂透明電極層分別具有凸塊，從截面上看，所述底透明電極層和頂透明電極層的外形與方波相同；并且底透明電極層凸塊的邊緣與頂透明電極層凸塊的邊緣對齊。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

底粗化層和頂粗化層為ITO層，底粗化層和頂粗化層均勻覆蓋在底透明電極層和頂透明電極層具有凸塊的表面上，并且底粗化層和頂粗化層的厚度相同，都為80-100nm；底透明電極層沒有凸塊的區域的厚度為0.5-1微米，具有凸塊的區域的厚度為5-10微米；同樣的，頂透明電極層沒有凸塊的區域的厚度為0.5-1微米，具有凸塊的區域的厚度為5-10微米。

4.如權利要求1-3之一的方法，其特征在于：

底透明電極層以及頂透明電極層凸塊的寬度與凸塊之間的距離之比為1.5-2，優選1.6倍。