[發(fā)明專利]陣列基板及3D顯示設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310497396.0
• 申請(qǐng)日: 2013-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN103531143A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳政鴻;姜佳麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/20
• 分類號(hào): G09G3/20;H04N13/00
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 刁文魁;唐秀萍

1.一種陣列基板，其特征在于，包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò)，呈矩陣式排列，并形成多個(gè)像素單元，所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述掃描線包括第一掃描線和第二掃描線，所述第一掃描線通過所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極，所述第二掃描線通過所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極；

其中所述第一掃描線，用于傳輸?shù)谝粧呙栊盘?hào)，以打開所述第一薄膜晶體管；

所述數(shù)據(jù)線，用于在所述第一薄膜晶體管打開后，通過所述薄膜晶體管提供像素電極電壓至所述像素電極，對(duì)所述像素電極充電；

所述第二掃描線，用于在所述數(shù)據(jù)線對(duì)所述像素電極充電后，傳輸?shù)诙呙栊盘?hào)，以打開所述第二薄膜晶體管；

所述公共電極線，用于在所述第二薄膜晶體管打開后，通過所述第二薄膜晶體管提供公共電壓至所述像素電極，以將所述像素電極電壓拉至所述公共電壓；

其中所述第二掃描線的第二掃描信號(hào)的持續(xù)時(shí)間為一預(yù)定時(shí)間，以將所述像素電極的電壓拉至不同的準(zhǔn)位。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一掃描線具有第一掃描周期T1，所述預(yù)定時(shí)間的范圍在0至T1之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二掃描線具有第二掃描周期T2，所述第一掃描周期T1等于所述第二掃描周期T2。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二掃描線是當(dāng)所述第一掃描信號(hào)位于(T1)/2時(shí)開始傳輸所述第二掃描信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管包括有第二柵極、第二源極以及第二漏極，所述第二薄膜晶體管的所述柵極電連接所述第二掃描線，所述第二薄膜晶體管的所述源極電連接所述公共電極線，所述第二薄膜晶體管的所述第二漏極電連接所述像素電極。

6.一種3D顯示設(shè)備，其特征在于，包括陣列基板，所述陣列基板包括沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線以及沿行方向延伸的公共電極線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相互垂直交錯(cuò)，呈矩陣式排列，并形成多個(gè)像素單元，所述像素單元內(nèi)包括有像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述掃描線包括第一掃描線和第二掃描線，所述第一掃描線通過所述第一薄膜晶體管連接所述像素電極，所述第二掃描線通過所述第二薄膜晶體管連接所述像素電極；

其中所述第一掃描線，用于傳輸?shù)谝粧呙栊盘?hào)，以打開所述第一薄膜晶體管；

所述數(shù)據(jù)線，用于在所述第一薄膜晶體管打開后，通過所述薄膜晶體管提供像素電極電壓至所述像素電極，對(duì)所述像素電極充電；

所述第二掃描線，用于在所述數(shù)據(jù)線對(duì)所述像素電極充電后，傳輸?shù)诙呙栊盘?hào)，以打開所述第二薄膜晶體管；

所述公共電極線，用于在所述第二薄膜晶體管打開后，通過所述第二薄膜晶體管提供公共電壓至所述像素電極，以將所述像素電極電壓拉至所述公共電壓；

其中所述第二掃描線的第二掃描信號(hào)的持續(xù)時(shí)間為一預(yù)定時(shí)間，以將所述像素電極的電壓拉至不同的準(zhǔn)位。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的3D顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一掃描線具有第一掃描周期T1，所述預(yù)定時(shí)間的范圍在0至T1之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二掃描線具有第二掃描周期T2，所述第一掃描周期T1等于所述第二掃描周期T2。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的3D顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二掃描線是當(dāng)所述第一掃描信號(hào)位于(T1)/2時(shí)開始傳輸所述第二掃描信號(hào)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的3D顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二薄膜晶體管包括有第二柵極、第二源極以及第二漏極，所述第二薄膜晶體管的所述柵極電連接所述第二掃描線，所述第二薄膜晶體管的所述源極電連接所述公共電極線，所述第二薄膜晶體管的所述第二漏極電連接所述像素電極。