[發明專利]一種臺階型發光二極管

無效

• 申請號: 201310496665.1
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103594585A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種臺階型發光二極管，其特征在于：?

所述臺階型發光二極管具有襯底，在襯底上具有第一底透明導電層，在第一底透明導電層上具有底粗化層，底粗化層上具有第二底透明導電層，在第二底透明導電層的第一區域上具有底電極層，在第二底透明導電層的第二區域上具有p型半導體層，在p型半導體層上具有半導體發光層，在半導體發光層上具有n型半導體層，在n型半導體層上具有第一頂透明導電層，在第一頂透明導電層上具有頂粗化層，在頂粗化層上具有第二頂透明導電層，在第二頂透明導電層上具有頂電極。?

2.如權利要求1所述的臺階型發光二極管，其特征在于：?

第二底透明導電層和第一頂透明導電層分別具有凸塊，從截面上看，所述第二底透明導電層和第一頂透明導電層的外形與方波相同；并且第二底透明導電層凸塊的邊緣與第一頂透明導電層凸塊的邊緣對齊。?

3.如權利要求1或2所述的臺階型發光二極管，其特征在于：?

p型半導體層為p型GaN層或p型AlGaN層，n型半導體層為n型GaN層或n型AlGaN層，半導體發光層為交替形成的超晶格結構的Al_xIn_yGa_zN/AI_xIn_yGa_zP多量子阱層，其中x+y+z=1、并且0<x≤0.05、0<y≤0.05、0<z≤0.9。?

4.如權利要求1-3之一的臺階型發光二極管，其特征在于：?

第二底透明導電層凸塊的寬度與兩個凸塊之間的距離相同，第一?頂透明導電層凸塊的寬度與兩個凸塊之間的距離也相同；在某些場合，如果需要粗化層的粗化面積更大，那么凸塊之間的距離可以與凸塊的寬度不同，例如凸塊寬度為凸塊之間距離的1.5-2倍，優選1.6倍。?