[發(fā)明專利]攝像裝置、其制造方法和照相機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310496053.2
• 申請(qǐng)日: 2013-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN103779369A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊野秀臣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 宋巖

1.一種背面照射的攝像裝置，包括：

半導(dǎo)體基板，具有用于接收入射光的第一面和位于第一面的相對(duì)側(cè)的第二面，并且包括光電轉(zhuǎn)換部件和設(shè)置在第二面上方的柵極電極；

第一絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第二面上方；

層間絕緣膜，設(shè)置在第一絕緣層上；

接觸插塞，連接到柵極電極；以及

光遮斷部件，用于遮斷入射光中的已經(jīng)透過光電轉(zhuǎn)換部件的光，

其中，光遮斷部件貫穿層間絕緣膜的至少一部分，并且第一絕緣層位于光遮斷部件與半導(dǎo)體基板之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，進(jìn)一步包括：

第二絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層與層間絕緣膜之間，光遮斷部件貫穿該第二絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，

其中，光遮斷部件的一部分位于柵極電極上方；并且

第一絕緣層位于光遮斷部件的所述一部分與柵極電極之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，

其中，第一絕緣層包含與柵極電極下的柵極絕緣膜不同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，

其中，光遮斷部件反射所述已經(jīng)透過光電轉(zhuǎn)換部件的光。

6.一種照相機(jī)，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置；以及

信號(hào)處理單元，處理來自攝像裝置的信號(hào)。

7.一種背面照射的攝像裝置，包括：

半導(dǎo)體基板，具有用于接收入射光的第一面和位于第一面的相對(duì)側(cè)的第二面，并且包括光電轉(zhuǎn)換部件和位于第二面上方的柵極電極；

層間絕緣膜，設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第二面上方；

接觸插塞，連接到柵極電極；以及

光遮斷部件，用于遮斷入射光中的已經(jīng)透過光電轉(zhuǎn)換部件的光，

其中，層間絕緣膜的一部分位于光遮斷部件與半導(dǎo)體基板之間。

8.一種照相機(jī)，包括：

根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像裝置；以及

信號(hào)處理單元，處理來自攝像裝置的信號(hào)。

9.一種用于制造背面照射的攝像裝置的方法，所述攝像裝置包括：

半導(dǎo)體基板，具有用于接收入射光的第一面和位于第一面的相對(duì)側(cè)的第二面，并且包括光電轉(zhuǎn)換部件和位于第二面上方的柵極電極；

接觸插塞，連接到柵極電極；以及

光遮斷部件，用于遮斷入射光中的已經(jīng)透過光電轉(zhuǎn)換部件的光，以及

所述方法包括：

形成在半導(dǎo)體基板的第二面上方的第一絕緣層，并且形成在第一絕緣層上方的層間絕緣膜；

通過蝕刻掉層間絕緣膜的一部分和第一絕緣層的一部分，形成用于形成接觸插塞的第一開口；以及

通過蝕刻掉層間絕緣膜的另一部分，形成用于形成光遮斷部件的第二開口，

其中，在形成第一開口的步驟中，第一開口到達(dá)柵極電極；并且

在形成第二開口的步驟中，第一絕緣層的至少一部分被保留在第二開口與半導(dǎo)體基板之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，包括：

形成在第一絕緣層上方的第二絕緣層，除去第二絕緣層的在要形成接觸插塞的位置處的部分，然后形成層間絕緣膜；

在層間絕緣膜上方形成如下掩模圖案，所述掩模圖案暴露要形成接觸插塞和光遮斷部件的位置；

通過在掩模圖案之上進(jìn)行蝕刻，同時(shí)地除去層間絕緣膜中的要形成接觸插塞的位置處的部分以及層間絕緣膜中的要形成光遮斷部件的位置處的部分，其中在蝕刻要形成接觸插塞的位置時(shí)第一絕緣層用作蝕刻停止層，而在蝕刻要形成光遮斷部件的位置時(shí)第二絕緣層用作蝕刻停止層；以及

通過在掩模圖案之上進(jìn)行蝕刻，同時(shí)地除去第一絕緣層中的要形成接觸插塞的位置處的部分以及第二絕緣層中的要形成光遮斷部件的位置處的部分，其中在蝕刻要形成光遮斷部件的位置時(shí)第一絕緣層用作蝕刻停止層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中，第一絕緣層和第二絕緣層各自具有包括作為層的硅氧化物膜和硅氮化物膜的疊層結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，

其中，半導(dǎo)體基板進(jìn)一步包括在光電轉(zhuǎn)換部件的周圍的元件隔離區(qū)；并且

光遮斷部件的至少一部分位于元件隔離區(qū)之上。