[發明專利]一種平臺型發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201310495998.2
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103594581A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種平臺型發光二極管的制造方法，依次包括如下步驟：

（1）在襯底上依次形成第一底透明導電層、底粗化層和第二底透明導電層；

（2）在第二底透明導電層上依次形成p型半導體層、半導體發光層和n型半導體層；

（3）采用刻蝕工藝，將p型半導體層、半導體發光層和n型半導體層的部分區域去除，直至完全露出第二底透明導電層的上表面為止；

（4）在n型半導體層上依次形成第一頂透明導電層、頂粗化層和第二頂透明導電層；

（5）在第二底透明導電層露出的上表面上以及在第二頂透明導電層的表面上分別形成底電極和頂電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，步驟（1）的工藝過程為：在襯底1上淀積透明導電材料，對透明導電材料進行光刻、刻蝕后形成柱形凸起；對該凸起進行高溫加熱，從而將凸起熔化，熔化后的凸起自然收縮成半球形，然后經冷卻后形成半球形的第一底透明導電層；然后采用化學腐蝕工藝在第一底透明導電層的球形表面以及第一底透明導電層之間形成底粗化層，然后在底粗化層的上表面淀積透明導電材料，經平坦化后得到第二底透明導電層；

其中，步驟（3）的刻蝕工藝中，優選采用干式刻蝕工藝（例如等離子體刻蝕）在垂直方向上將p型半導體層、半導體發光層和n型半導體層的部分區域去除，從而能夠將p型半導體層、半導體發光層和n型半導體層形成陡直的側面，并且在刻蝕終點檢出以后，繼續進行過刻蝕工藝，以確保第二底透明導電層的第一區域的上表面完全露出；

其中，步驟（4）的工藝過程為：在n型半導體層上淀積透明導電材料，對透明導電材料進行光刻、刻蝕后形成柱形凸起；對該凸起進行高溫加熱，從而將凸起熔化，熔化后的凸起自然收縮成半球形，然后經冷卻后形成半球形的第一頂透明導電層；然后采用化學腐蝕工藝在第一頂透明導電層的球形表面以及第一頂透明導電層之間形成頂粗化層，然后在頂粗化層的上表面淀積透明導電材料，經平坦化后得到第二頂透明導電層。