[發明專利]一種太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201310495934.2
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103606590A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種太陽能電池的制造方法依次包括如下步驟：

（1）提供襯底，在襯底上形成第一過渡金屬層；

（2）對第一過渡金屬層的上表面進行粗化；

（3）在第一過渡金屬層的上表面上濺鍍金屬材料層，然后對該金屬材料層的上表面進行粗化，從而形成粗化金屬層；

（4）在粗化金屬層的上表面形成p型半導體層，然后對p型半導體層的上表面進行粗化處理；

（5）在p型半導體層的上表面上形成n型半導體層，然后對n型半導體層的上表面進行粗化處理；

（6）在n型半導體層的上表面上依次形成第二過渡金屬層、ZnO層以及透明導電層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

形成第一過渡金屬層、粗化金屬層、第二過渡金屬層的工藝為金屬濺鍍工藝或者金屬電鍍工藝；對表面進行粗化的工藝為噴砂工藝、化學藥液刻蝕工藝或者等離子體干法刻蝕工藝。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

第一粗化面的粗糙度介于1微米至200微米之間；第二粗化面的粗糙度介于0.05微米至120微米之間，第三粗化面的粗糙度介于0.05微米至120微米之間，第四粗化面的粗糙度介于0.1微米至120微米之間。

n型半導體層的厚度遠小于p型半導體層的厚度，例如，n型半導體層厚度為p型半導體層厚度的1/12至1/8，優選為1/10或1/9。