[發(fā)明專利]一種高出光效率的垂直型發(fā)光二極管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310495807.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103606608A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 叢國(guó)芳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 溧陽(yáng)市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/38 | 分類號(hào)： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高出光 效率 垂直 發(fā)光二極管 | ||
1.一種垂直型發(fā)光二極管，其特征在于：
所述垂直型發(fā)光二極管具有底電極，在底電極上具有底粗化層，底粗化層上形成有底透明導(dǎo)電層，底透明導(dǎo)電層上形成有p型半導(dǎo)體層，p型半導(dǎo)體層上形成有半導(dǎo)體發(fā)光層，半導(dǎo)體發(fā)光層上形成有n型半導(dǎo)體層，在n型半導(dǎo)體層上形成有頂透明導(dǎo)電層，頂透明導(dǎo)電層上形成有頂粗化層，在頂粗化層上形成有頂電極。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其特征在于：
底透明電極層和頂透明電極層分別具有凸塊，從截面上看，所述底透明電極層和頂透明電極層的外形與方波相同；并且底透明電極層凸塊的邊緣與頂透明電極層凸塊的邊緣對(duì)齊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的垂直型發(fā)光二極管，其特征在于：
底粗化層和頂粗化層為ITO層，底粗化層和頂粗化層均勻覆蓋在底透明電極層和頂透明電極層具有凸塊的表面上，并且底粗化層和頂粗化層的厚度相同，都為80-100nm；底透明電極層沒(méi)有凸塊的區(qū)域的厚度為0.5-1微米，具有凸塊的區(qū)域的厚度為5-10微米；同樣的，頂透明電極層沒(méi)有凸塊的區(qū)域的厚度為0.5-1微米，具有凸塊的區(qū)域的厚度為5-10微米。
4.如權(quán)利要求1-3之一的垂直型發(fā)光二極管，其特征在于：
底透明電極層凸塊的寬度與兩個(gè)凸塊之間的距離相同，頂透明電極層凸塊的寬度與兩個(gè)凸塊之間的距離也相同。
5.如權(quán)利要求1-3之一的垂直型發(fā)光二極管，其特征在于：
底透明電極層以及頂透明電極層凸塊的寬度與凸塊之間的距離之比為1.5-2，優(yōu)選1.6倍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
