[發明專利]線路的制造方法無效
| 申請號: | 201310495279.0 | 申請日: | 2013-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103811333A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 許力介;郭曉文;陳維釧 | 申請(專利權)人: | 杰圣科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308;G06F3/041;H05K3/06 |
| 代理公司: | 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 劉激揚 |
| 地址: | 中國臺灣臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種線路的制造方法。具體地,本發明涉及一種通過增加保護層或施壓于保護層而使之覆蓋導電層,以避免蝕刻過程中的過度蝕刻,進而獲得精準線路圖案的線路制造方法。
背景技術
目前信息產品中,例如手機、計算機以及導航通訊裝置,對于印刷電路板或觸控面板的需求逐漸提高,相對地對面板的線路的精確度以及成品率的要求也提高了許多。以往傳統的電路板是采用印刷抗蝕劑的方法來制造電路的線路及圖案的,但由于電子產品的尺寸逐漸微小化與精細化,目前電路多采用壓膜或涂布光刻膠層,經過曝光顯影后,再通過蝕刻制作出電路板,而在前述制造過程中,蝕刻過程最不易控制且容易因過度浸蝕造成線路圖案精準度差或產生蝕刻斷線,從而降低成品率。
線路圖案化的制造過程包括在基板上形成導電薄膜層,再對基板上的該導電薄膜層進行蝕刻。目前蝕刻的方式有兩種,分別為濕式蝕刻與干式蝕刻,其中制造圖案化的公知方法是采用兩道蝕刻制程,而二次蝕刻的結果常會造成線路圖案化的線路尺寸較原預定的小,且破壞導電薄膜層的導電性。并且由于導電薄膜層大多由結晶型氧化物所組成,其蝕刻速率與穩定性不易控制,具有易造成蝕刻不均、產品成品率降低以及增加制造成本等缺點。
綜上所述,對于線路的制造過程中所產生的蝕刻缺點,目前沒有任何可控制前述線路圖案化的精準度的良好方案,仍待進一步地研究并加以解決。
發明內容
本發明的目的在于解決線路蝕刻過程中的過度側蝕的問題。為此,本發明公開了一種在導電薄膜層表面施加保護層的方法,使導電薄膜層在蝕刻過程中受到保護而可保持預定圖案化的線路,從而得到精準、高成品率的圖案化線路。
本發明涉及一種線路的制造方法,其包括下列步驟:提供基板,在基板上依順序形成第一導電薄膜層以及第二導電薄膜層;在基板的第二導電薄膜層上形成第一圖案化保護層,蝕刻第二導電薄膜層至露出局部的第一導電薄膜層;形成第二圖案化保護層于第一圖案化保護層之上,并使第二圖案化保護層覆蓋第二導電薄膜層的側面;以及蝕刻第一導電薄膜層。
優選地,所述形成第二圖案化保護層于第一圖案化保護層上的方法,還包括:形成光刻膠層于第一圖案化保護層上,曝光該光刻膠層,以及顯影該光刻膠層。
優選地,形成第一圖案化保護層及第二圖案化保護層的方法,可通過光刻法、網版印刷法、噴涂法、旋轉涂布法或狹縫式涂布法來形成。
優選地,第一圖案化保護層及第二圖案化保護層可為干膜光刻膠層、液態光刻膠層、聚合物層或油墨層。
優選地,第二圖案化保護層進一步覆蓋第一導電薄膜層的部分表面、第二導電薄膜層的側面及第一圖案化保護層的表面。
優選地,基板可為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰胺(PA)、用于電路板(PCB)的樹脂、硅、玻璃、塑料、金屬或陶瓷。
另一方面,本發明進一步提供另一種線路的制造方法,其包括下列步驟:提供基板,在基板上依順序形成第一導電薄膜層以及第二導電薄膜層;形成第一圖案化保護層于第二導電薄膜層之上,蝕刻第二導電薄膜層至露出局部的第一導電薄膜層;對第一圖案化保護層施加壓力,使該第一圖案化保護層覆蓋于第二導電薄膜層的側面;以及對第一導電薄膜層進行蝕刻。
優選地,第一圖案化保護層的表面積大于第二導電薄膜層的表面積。
優選地,第一圖案化保護層可為干膜光刻膠層、液態光刻膠層、聚合物層或油墨層。
優選地,對第一圖案化保護層施加壓力的方法可為熱壓法或輥壓法。
優選地,基板可為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰胺(PA)、用于電路板的樹脂、硅、玻璃、塑料、金屬或陶瓷。
附圖說明
圖1a是本發明的第一圖案化保護層的示意圖。
圖1b是本發明的蝕刻第二導電薄膜層的示意圖。
圖1c是本發明的形成第二圖案化保護層的示意圖。
圖1d是本發明的蝕刻具有第二圖案化保護層的第一導電薄膜層的示意圖。
圖2a是本發明的蝕刻第一圖案化保護層以及第二導電薄膜層的示意圖。
圖2b是蝕刻第二導電薄膜層的示意圖。
圖2c是對第一圖案化保護層施加壓力以被覆第二導電薄膜層的示意圖。
圖2d是對第一導電薄膜層進行蝕刻的示意圖。
圖2e是本發明蝕刻完成的基板的示意圖。
具體實施方式
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





