[發明專利]一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法

無效

• 申請號: 201310494754.2
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103510047A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 黃信二
• 申請（專利權）人: 研創應用材料（贛州）有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/14;B22F3/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：

氧化銦錫靶材中氧化錫質量分數含量在2-7%，余量為氧化銦，同時在氧化銦錫靶材中添加占總質量的0.1-2%的氧化鈦，然后使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合氧化錫、氧化銦、氧化鈦粉末材料，研磨時間24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體；

成膜工藝：濺鍍薄膜時采用三明治結構，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍10-50?nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍5-15nm的銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10-50?nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜，使得薄膜在<150℃狀態下濺鍍成膜。

2.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于質量比為：氧化錫、氧化銦和氧化鈦粉末重:氧化鋯球重:水重:分散劑重=1:3.0:0.25:0.02。

3.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于分散劑為羧酸鹽類分散劑。

4.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于濺鍍第一層和第三層氧化銦錫薄膜的優選厚度為10-30nm，銀或銀合金薄膜的厚度為5-10nm。

5.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于純銀靶材的制備使用周波爐，在1100℃溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成靶材備用。

6.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：將玻璃或者PET基板、純銀靶材及氧化銦錫靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5?torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2×10^-3torr，玻璃基板不加熱。

7.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：銀合金為Ag-0.5Ti或Ag-0.5Ti-1.0Cu。

8.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：所述氧化銦錫靶材優選氧化錫質量分數含量在3-5%，氧化鈦的質量分數含量0.1-1?%。

9.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：所述氧化銦錫靶材最優選氧化錫質量分數含量在4.5%，氧化鈦的質量分數含量0.5?%。

10.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于：濺鍍第一層和第三層氧化銦錫薄膜的還優選厚度為10-20nm，銀或銀合金薄膜的厚度為6-8nm。

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