[發(fā)明專利]一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310494570.6
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103510058A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃信二
• 申請（專利權(quán)）人: 研創(chuàng)應(yīng)用材料（贛州）有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/18;H01L31/20;H01L21/36
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1.一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：所述氧化鋅鋁鎵靶材的氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量在0.1-5.0wt%，氧化鎵的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量0.1-5.0?wt?%，余量為氧化鋅；使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅粉末材料，研磨時間24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經(jīng)過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經(jīng)過1400-1550℃的高溫?zé)Y(jié)，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體；

成膜工藝：濺鍍薄膜時采用三明治結(jié)構(gòu)，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍10-75?nm的氧化鋅鋁鎵薄膜，接著濺鍍5-15nm的銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10-75?nm的氧化鋅鋁鎵薄膜，形成三明治結(jié)構(gòu)的薄膜，使得薄膜在<150℃狀態(tài)下濺鍍成膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于質(zhì)量比為：氧化鋁、氧化鎵和氧化鋅粉末重:氧化鋯球重:水重:分散劑重=1:3.0:0.25:0.02。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于分散劑為羧酸鹽類分散劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于濺鍍第一層和第三層氧化鋅鋁鎵薄膜的優(yōu)選厚度為10-50nm，銀或銀合金薄膜的厚度為5-10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于純銀靶材的制備使用周波爐，在1100℃溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成靶材備用。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：將玻璃或者PET基板、純銀靶材及氧化鋅鋁鎵靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5?torr后，利用氬氣當(dāng)作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2×10^-3torr，玻璃基板不加熱。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：銀合金為Ag-0.5Ti或Ag-0.5Ti-1.0Cu。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：所述氧化鋅鋁鎵靶材優(yōu)選氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量在1-3wt%，氧化鎵的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量1-3?wt?%，余量為氧化鋅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：所述氧化鋅鋁鎵靶材最優(yōu)選氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量在1.5wt%，氧化鎵的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量1.5?wt?%，余量為氧化鋅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備新型導(dǎo)電氧化鋅鋁鎵材料及薄膜的方法，其特征在于：濺鍍第一層和第三層氧化鋅鋁鎵薄膜的還優(yōu)選厚度為15-25nm，銀或銀合金薄膜的厚度為8-10nm。

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