[發(fā)明專利]一種OLED器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310494293.9
• 申請(qǐng)日: 2013-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN103715359A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱勇;張國輝;董艷波;王靜;段煉;胡永嵐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 朱振德

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及OLED（Organic?Light?Emitting?Diode，有機(jī)發(fā)光二極管）器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，是一種OLED器件及其制作方法。

背景技術(shù)

OLED（Organic?Light-Emitting?Diode）即有機(jī)發(fā)光二極管，作為顯示器件時(shí)具有寬視角、響應(yīng)快、色域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，作為照明器件時(shí)具有平面化、無汞污染、高效率等特色，是下一代顯示和照明的發(fā)展趨勢(shì)。

在典型的OLED器件結(jié)構(gòu)中，由于各膜層材料的折射率不一致造成的全反射，使得通過OLED器件發(fā)射層發(fā)出的光大部分被限制在器件中不能有效地輸出到器件外，也即光耦合效率低。為提高OLED器件的光耦合效率，業(yè)界已經(jīng)發(fā)展了多種方法來提高OLED器件的光耦合效率。

有機(jī)發(fā)光元件的光輻射可分為四種模式：外部模式（Radiation?mode）、基板模式（Substrate?mode）、波導(dǎo)模式（Waveguide?mode）、表面等離子模式（SP，surface?plasma?mode），如圖1所示的底發(fā)光OLED中，各模式所占比例與“發(fā)光層的發(fā)光中心和反射電極間距”之間的關(guān)系。

另外，OLED器件對(duì)水汽和氧氣非常敏感，滲入器件內(nèi)部的水汽和氧氣會(huì)嚴(yán)重影響器件的發(fā)光壽命。由于有機(jī)物質(zhì)及高活性第二電極金屬材料對(duì)水汽和氧氣有極高的靈敏度，如果無法對(duì)OLED進(jìn)行有效的保護(hù)，有機(jī)材料及第二電極金屬會(huì)因接觸水汽和氧氣發(fā)生反應(yīng)而很快產(chǎn)生黑點(diǎn)及光強(qiáng)度衰減，進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)顯示器件逐步老化到永久損壞。為了延長OLED的使用壽命，在制備OLED屏體時(shí)，需要進(jìn)行嚴(yán)密的封裝。常見的封裝包括采用挖槽的封裝蓋四周涂敷UV（Ultraviolet?Rays）固化膠封裝、采用激光熔融低熔點(diǎn)玻璃做貼合封裝及制備薄層的水氧阻隔膜做薄膜封裝等。其中薄膜封裝的方式有采用有機(jī)無機(jī)交替封裝膜的薄膜封裝及采用PECVD（Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）沉寂氧化硅及氮化硅等方式的封裝。但現(xiàn)有的方法無法有效防止水汽在發(fā)光像素間的橫向滲透，如圖2所示，一旦水汽或氧氣滲入某個(gè)像素單元的OLED器件，很快就會(huì)滲透到相鄰的OLED器件，對(duì)相鄰OLED器件造成損壞。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是一種可以有效提高光耦合效率，并能防止橫向滲透、封裝效果好的OLED器件及其制作方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種OLED器件，包括基板、第一電極、有機(jī)功能層和第二電極，所述有機(jī)功能層中設(shè)有柵格，所述柵格將所述有機(jī)功能層的至少一部分分隔成多個(gè)區(qū)域；所述第二電極外側(cè)還設(shè)有封裝層。

進(jìn)一步地，所述柵格將整個(gè)有機(jī)功能層分隔成多個(gè)區(qū)域。

進(jìn)一步地，被所述柵格所分隔的有機(jī)功能層的每個(gè)區(qū)域呈多邊形。

進(jìn)一步地，所述有機(jī)功能層的每個(gè)區(qū)域呈正方形或正六邊形。

進(jìn)一步地，所述柵格的橫截面呈矩形或梯形。

進(jìn)一步地，所述柵格形成的多邊形的邊長為5~120微米，柵格本身的寬度為1-50?微米。

進(jìn)一步地，所述柵格的材料為為無機(jī)氮化物、氧化物、氯化物或碳化物。

進(jìn)一步地，所述柵格的材料為SiN_X、SiO_X、Al₂O₃、SiC或MgF₂。

進(jìn)一步地，所述第二電極具有與所述柵格相適應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供一種OLED器件的制作方法，包括：

在基板上制備第一電極；

在所述第一電極上制備柵格，所述柵格將所述第一電極上的空間圍構(gòu)成多個(gè)區(qū)域；

在所述柵格基礎(chǔ)上制備有機(jī)功能層；

在所述有機(jī)功能層上制備第二電極；

在所述第二電極外側(cè)制作封裝層，形成封裝。

進(jìn)一步地，在所述柵格基礎(chǔ)上制備有機(jī)功能層時(shí)，只在所述柵格圍構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)制備；或者在所述第一電極及柵格上方的整個(gè)空間內(nèi)制備所述有機(jī)功能層，使有機(jī)功能層覆蓋住所述所述第一電極及柵格。

進(jìn)一步地，制備所述第二電極時(shí)，所述第二電極形成與所述柵格相適應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)。