[發(fā)明專利]硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)及其圓片級(jí)制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310492853.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN103500729A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉交托;陳驍;朱春生;徐高衛(wèi);羅樂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

S1：提供一硅圓片，采用濕法腐蝕在所述硅圓片正面及背面形成上下分布的至少一對(duì)凹槽；一對(duì)凹槽共用凹槽底部；

S2：采用濕法腐蝕在所述凹槽底部中形成至少一個(gè)硅通孔；所述硅通孔由上下對(duì)稱的上通孔及下通孔連接而成；所述上通孔及下通孔具有傾斜側(cè)壁；

S3：在所述硅通孔的側(cè)壁表面形成通孔介質(zhì)層；

S4：在所述通孔介質(zhì)層表面形成通孔金屬層；

S5：最后劃片形成獨(dú)立的硅轉(zhuǎn)接板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：所述上通孔的縱截面為倒梯形；所述下通孔的縱截面為梯形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：所述上通孔的側(cè)壁與所述凹槽底部所在平面的夾角為54.7度，所述下通孔的側(cè)壁與所述凹槽底部所在平面的夾角為54.7度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：所述硅通孔的橫截面為矩形或正方形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：于所述步驟S4中，所述通孔金屬層為覆蓋滿所述通孔四個(gè)側(cè)壁表面的金屬層，或所述通孔金屬層為分布于所述硅通孔其中一個(gè)側(cè)壁表面的至少一根金屬線，或所述通孔金屬層為分布于所述硅通孔至少兩個(gè)側(cè)壁表面的至少兩根分立的金屬線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：所述硅圓片為雙面拋光的（100）晶面硅片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：采用第一腐蝕掩模形成所述凹槽，光刻形成所述第一腐蝕掩模時(shí)將第一光掩模板的圖形邊界與所述（100）晶面硅片的<110>晶向?qū)R；采用第二腐蝕掩模形成所述硅通孔，光刻形成所述第二腐蝕掩模時(shí)將第二光掩模板的圖形邊界與所述（100）晶面硅片的<110>晶向?qū)R。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：于所述步驟S3中，在形成所述通孔介質(zhì)層時(shí)，同時(shí)在所述凹槽表面形成凹槽介質(zhì)層；于所述步驟S4中，在形成通孔金屬層時(shí)，同時(shí)在所述凹槽介質(zhì)層表面形成金屬重布線層及金屬焊盤。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：于所述步驟S1及步驟S2中，所述濕法腐蝕均采用硅的各向異性腐蝕液。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)制作方法，其特征在于：所述凹槽具有傾斜側(cè)壁。

11.一種硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)，包括：

硅圓片；

上下分布的至少一對(duì)凹槽，分別形成于所述硅圓片正面及背面；一對(duì)凹槽共用凹槽底部；

形成于所述凹槽底部中的至少一個(gè)硅通孔；

形成于所述硅通孔側(cè)壁表面的通孔介質(zhì)層；

及形成于所述通孔介質(zhì)層表面的通孔金屬層；

其特征在于：

所述硅通孔由上下對(duì)稱的上通孔及下通孔連接而成；所述上通孔及下通孔具有傾斜側(cè)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述通孔金屬層為覆蓋滿所述通孔四個(gè)側(cè)壁表面的金屬層，或所述通孔金屬層為分布于所述硅通孔其中一個(gè)側(cè)壁表面的至少一根金屬線，或所述通孔金屬層為分布于所述硅通孔至少兩個(gè)側(cè)壁表面的至少兩根分立的金屬線。