[發明專利]一種鰭式場效應管的制備方法

有效

• 申請號: 201310492818.5
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN104576392B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 沈滿華;祖延雷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種鰭式場效應管的制備方法，其特征在于，所述鰭式場效應管的制備方法包括對鰭結構頂部的處理方法，所述處理方法至少包括以下步驟：

1)在已制備的鰭結構上旋涂有機材料層或無定形碳，使有機材料層或無定形碳覆蓋鰭結構的表面和側壁；

2)通入第一氣體和第二氣體的混合氣體，并將混合氣體等離子化，在混合氣體形成的等離子的作用下刻蝕有機材料層或無定形碳，使得所述鰭結構頂部暴露并圓化，所述有機材料層或無定形碳與鰭結構材料的刻蝕選擇比為1.1～1.2；

3)去除剩余的有機材料層或無定形碳。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：所述有機材料層為旋轉涂布有機碳或熱交聯染色的酚醛聚合物。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：所述第一氣體為CF₄，所述第二氣體為CHF₃、CH₂F₂或CH₃F中的一種。

4.根據權利要求1或3所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：所述第一氣體和第二氣體的流量之比為1：1～1：2。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：等離子刻蝕的功率范圍為50～500瓦，等離子刻蝕的時間范圍為30～120秒。

6.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：去除所述剩余的有機材料層的方法為原位灰化或異位灰化，其采用的處理氣體包括O₂、N₂、H₂、CO₂、CH₄、NH₃中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中制備的鰭結構的具體過程包括：首先，提供一半導體襯底，在所述半導體襯底上自下而上依次沉積墊氧化層、墊氮化層和光刻膠層；然后圖形化光刻膠層形成多個開口，再依次對開口下方的墊氮化層、墊氧化層和半導體襯底進行刻蝕形成多個溝槽，溝槽與溝槽之間的凸出的半導體襯底定義為鰭結構。

8.根據權利要求7所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：形成鰭結構之后還包括淺溝道隔離結構的形成步驟：首先，采用高密度等離子化學氣相沉積工藝在所述溝槽中淀積絕緣介質材料，直至絕緣介質材料覆蓋于所述墊氮化層表面；之后，采用化學機械拋光工藝拋除墊氮化層表面的絕緣介質材料；最后，采用干法刻蝕工藝刻蝕溝槽中的絕緣介質材料使絕緣介質材料表面低于鰭結構的表面，從而形成淺溝道隔離結構。

9.根據權利要求8所述的鰭式場效應管的制備方法，其特征在于：形成淺溝道隔離結構之后去除所述墊氮化層和墊氧化層，露出鰭結構表面。