[發(fā)明專利]一種降低靜態(tài)隨機(jī)存儲器制備工藝中陰影效應(yīng)的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310491996.6
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103531543A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞柳江
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L21/266
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種降低靜態(tài)隨機(jī)存儲器制備工藝中陰影效應(yīng)的方法，其特征在于，所述方法包括：

執(zhí)行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底內(nèi)形成間隔設(shè)置的所述淺溝槽隔離；

執(zhí)行步驟S2：在所述硅基襯底上依次設(shè)置柵氧化層和多晶硅柵，并在所述柵氧化層兩側(cè)設(shè)置輕摻雜源極區(qū)和輕摻雜漏極區(qū)，以形成所述控制晶體管；

執(zhí)行步驟S3：在所述硅基襯底之異于所述柵氧化層的表面設(shè)置光阻層，且所述光阻層之臨近所述柵氧化層一側(cè)的側(cè)壁與所述硅基襯底之上表面具有傾角α，0＜α＜90°；

執(zhí)行步驟S4：通過所述環(huán)狀注入工藝，對所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行離子注入。

2.如權(quán)利要求1所述的降低靜態(tài)隨機(jī)存儲器制備工藝中陰影效應(yīng)的方法，其特征在于，所述光阻層之臨近所述柵氧化層一側(cè)的側(cè)壁與所述硅基襯底之上表面具有的傾角α根據(jù)所述環(huán)狀注入之目標(biāo)區(qū)域的位置進(jìn)行設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的靜態(tài)隨機(jī)存儲器，其特征在于，所述傾角α的設(shè)置進(jìn)一步包括減小所述傾角α，使得所述光阻層之臨近所述柵氧化層一側(cè)的側(cè)壁與所述環(huán)狀注入之注入方向之間的夾角β變小，進(jìn)而使得所述環(huán)狀注入之注入方向在所述硅基襯底上的投影面積減小。

4.如權(quán)利要求1所述的降低靜態(tài)隨機(jī)存儲器制備工藝中陰影效應(yīng)的方法，其特征在于，所述環(huán)狀注入工藝對所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行離子注入，進(jìn)行所述靜態(tài)隨機(jī)存儲器之控制晶體管的閾值電壓調(diào)節(jié)。