[發明專利]晶圓缺陷分析系統

有效

• 申請號: 201310491945.3
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103531498A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 郭賢權;許向輝;陳超
• 申請（專利權）人: 海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種晶圓缺陷分析系統，其特征在于，包括：

晶圓缺陷掃描庫，用于存儲設定時間內的晶圓掃描機臺掃描的晶圓的缺陷掃描圖，所述晶圓至少包括兩個批次的晶圓；

缺陷位置獲取單元，用于基于所述缺陷掃描圖獲得缺陷的位置信息，并且對所述位置信息進行排序，所述位置信息包括橫坐標和縱坐標；

缺陷位置匹配單元，用于對一個晶圓的缺陷掃描圖中的一個缺陷的位置信息與另一個晶圓的缺陷掃描圖的一個缺陷的位置信息進行匹配，并且基于匹配結果標記匹配組；所述匹配包括:將一個晶圓的一個缺陷的位置信息的橫坐標與另一個晶圓的一個缺陷的位置信息相減，獲得橫坐標差值；以及將一個晶圓的縱坐標與另一個晶圓的縱坐標相減，獲得縱坐標差值，若所述橫坐標差值和縱坐標差值的絕對值均在坐標容忍值之內，則將所述一個晶圓的缺陷掃描圖中的一個缺陷與所述另一個晶圓的缺陷掃描圖的一個位置缺陷標記為一個缺陷組；

缺陷組分析單元，用于基于所述缺陷位置匹配單元獲得的缺陷組獲得該缺陷組的位置信息，所述缺陷組的位置信息包括：缺陷組的橫坐標和缺陷組的縱坐標，缺陷組的橫坐標為所述缺陷組的兩個缺陷的橫坐標的平均值，所述缺陷組的縱坐標為所述缺陷組的兩個缺陷的縱坐標的平均值；

缺陷組關聯性分析單元，用于對兩個晶圓之間的缺陷組的位置信息進行關聯性分析，所述關聯性分析包括：獲得兩個晶圓之間的缺陷組的位置信息的橫坐標的差值和縱坐標的差值，若所述差值的絕對值小于容許關聯值，則認為兩個晶圓之間的缺陷組存在關聯性；

缺陷標記單元，用于基于缺陷組關聯性分析單元之間的關聯性分析結果，將存在關聯性的缺陷組涉及的缺陷組對應的每一個晶圓的缺陷在缺陷掃描圖高亮標出。

2.如權利要求1所述的晶圓缺陷分析系統，其特征在于，所述設定時間為0.5-5小時。

3.如權利要求1所述的晶圓缺陷分析系統，其特征在于，所述位置信息的坐標系的零點為晶圓的圓心。

4.如權利要求1所述的晶圓缺陷分析系統，其特征在于，所述坐標容忍值為2-8微米。

5.如權利要求1所述的晶圓缺陷分析系統，其特征在于，所述容許關聯值為2-8微米。

6.如權利要求1所述的晶圓缺陷分析系統，其特征在于，所述缺陷關聯組分析單元還用于在一個晶圓的一個缺陷與另一個晶圓的多個缺陷都能夠形成匹配組時，基于篩選原則從所述另一個晶圓的多個缺陷中選擇一個缺陷與所述一個晶圓的一個缺陷形成匹配組。