[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310491634.7
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103779471A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 林東旭
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種發光器件，包括：

襯底；

第一導電半導體層，所述第一導電半導體層設置在所述襯底上；

有源層，所述有源層設置在所述第一導電半導體層上；

第二導電半導體層，所述第二導電半導體層設置在所述有源層上；

第一通路電極，所述第一通路電極通過穿過所述襯底的通孔接觸所述第一導電半導體層；以及

第二通路電極，所述第二通路電極通過穿過所述襯底、所述第一導電半導體層、和所述有源層的第二通孔接觸所述第二導電半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層圍繞所述第一通路電極的側面。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述第一通路電極包括過渡金屬氮化物。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述第一通路電極包括CrN、TiN或CrAlN中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述第一通路電極包括熔點為1500℃或更高的過渡金屬氮化物。

6.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述第一通路電極包括光學透射率為至少70%的過渡金屬氮化物。

7.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述第一通路電極包括電阻率為70μΩ·cm或更小的過渡金屬氮化物。

8.根據權利要求1或2所述的發光器件，還包括第一延伸電極，所述第一延伸電極從所述第一通路電極延伸同時接觸所述第一通路電極的頂表面。

9.根據權利要求1所述的發光器件，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層圍繞所述第二通路電極的側面。

10.根據權利要求1或9所述的發光器件，其中所述第二通路電極包括過渡金屬氮化物。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第二通路電極包括CrN、TiN、或CrAlN中的至少一種。

12.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第二通路電極包括熔點為1500℃或更高的過渡金屬氮化物。

13.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第二通路電極包括光學透射率為至少70%的過渡金屬氮化物。

14.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第二通路電極包括電阻率為70μΩ·cm或更小的過渡金屬氮化物。

15.根據權利要求1或9所述的發光器件，還包括第二延伸電極，所述第二延伸電極從所述第二通路電極延伸同時接觸所述第二通路電極的頂表面。

16.根據權利要求15所述的發光器件，其中所述第二延伸電極在所述第二通路電極的一個側向方向上延伸。

17.根據權利要求15所述的發光器件，其中所述第二延伸電極在所述第二通路電極的兩個側向方向上延伸。

18.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述第一通孔形成為從所述襯底的底表面穿過所述襯底，并且所述第一通路電極通過所述第一通孔接觸所述第一導電半導體層的底表面。

19.根據權利要求1或18所述的發光器件，其中所述第二通孔形成為從所述襯底的所述底表面穿過所述襯底、所述第一導電半導體層和所述有源層，并且所述第二通路電極通過所述第二通孔接觸所述第二導電半導體層的底表面。

20.根據權利要求19所述的發光器件，其中所述第二延伸電極在與所述第二通路電極的縱向方向平行的方向上延伸。